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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電營(yíng)收表現(xiàn)及28奈米比重一覽 臺(tái)積電 晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的28HPM制程去年產(chǎn)能全開,并拿下9成高市占率,今年為了因應(yīng)中低階智慧型手機(jī)需求,特別在28奈米HKMG技術(shù)上,


臺(tái)積電營(yíng)收表現(xiàn)及28奈米比重一覽

臺(tái)積電
晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)28奈米高介電金屬閘極(HKMG)的28HPM制程去年產(chǎn)能全開,并拿下9成高市占率,今年為了因應(yīng)中低階智慧型手機(jī)需求,特別在28奈米HKMG技術(shù)上,推出低成本版本28HPC制程,獲得手機(jī)晶片廠全面采用,不僅28奈米大爆單,上半年產(chǎn)能已是供不應(yīng)求。

臺(tái)積電28奈米產(chǎn)能及營(yíng)收去年出現(xiàn)高達(dá)3倍的成長(zhǎng),但因格羅方德(globalFoundries)、三星、聯(lián)電等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在28奈米多晶矽氮氧化矽(Poly/SiON)技術(shù)上持續(xù)追上,臺(tái)積電去年下半年將28奈米產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為以HKMG技術(shù)為主,此一策略果然在今年成功奪回28奈米市場(chǎng)失去的市占率。

臺(tái)積電去年開始量產(chǎn)28奈米HKMG技術(shù)的28HPM制程,下半年受到高階智慧型手機(jī)銷售力道減緩影響,產(chǎn)能利用率出現(xiàn)松動(dòng),但因競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一直無法在28奈米HKMG制程上達(dá)到如臺(tái)積電一樣的高良率,隨著今年全球景氣逐步復(fù)蘇,以及新款行動(dòng)裝置需求轉(zhuǎn)強(qiáng),臺(tái)積電今年已拿下100個(gè)設(shè)計(jì)定案(tape-outs)。

臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)魏哲家在先前法說會(huì)中提及,相較于采用Poly/SiON技術(shù)的28LP制程,28HPM在相同功耗下可提升30%運(yùn)算速度,至于在相同運(yùn)算速度下,則可有效降低15%功耗,也因此,28HPM制程成為行動(dòng)裝置晶片的首選。

由于今年中低階智慧型手機(jī)將是市場(chǎng)主流,為配合客戶降低生產(chǎn)成本,臺(tái)積電今年推出28HPM制程的低成本版本28HPC制程,大受市場(chǎng)歡迎。據(jù)設(shè)備業(yè)者表示,不僅高通、聯(lián)發(fā)科新款中低價(jià)手機(jī)晶片開始采用28HPC制程,展訊及華為旗下海思等大陸IC設(shè)計(jì)廠也大量采用,今年中前28奈米產(chǎn)能已供不應(yīng)求。

法人指出,臺(tái)積電28奈米產(chǎn)能今年沒有太大擴(kuò)產(chǎn)幅度,但因在HKMG技術(shù)上領(lǐng)先同業(yè),28奈米營(yíng)收今年仍有至少20%成長(zhǎng),預(yù)估今年可為臺(tái)積電帶來超過1,600億元營(yíng)收。

而臺(tái)積電現(xiàn)在也開始全力拉高20奈米制程產(chǎn)能,今年占全年?duì)I收將達(dá)10%,今年第4季營(yíng)收占比將上看20%。法人則預(yù)估,臺(tái)積電今年光靠28奈米及20奈米制程,今年全年?duì)I收可望較去年成長(zhǎng)超過15%,營(yíng)收及獲利將輕松續(xù)創(chuàng)歷史新高。



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