先進制程有硬仗要打

臺積電執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長蔣尚義決定在10月底退休，雖然看起來，「蔣爸」早已安排好未來5年的技術研發(fā)基礎，但臺積電的主要對手，也已經(jīng)轉(zhuǎn)為資金雄厚的IDM廠。面對英特爾及三星的步步進逼，臺積電能否擊敗對手，關鍵在于2015年才要投入量產(chǎn)的16納米鰭式場效晶體管（FinFET）。

蔣尚義自2009年重掌技術研發(fā)兵符以來，臺積電的技術發(fā)展藍圖出現(xiàn)了重大變革。第一，因為先進制程研發(fā)費用愈來愈高，臺積電已無法再提供客戶吃到飽的「歐式自助餐」，蔣尚義在確認了所有客戶未來幾年的技術需求后，決定放棄32納米而直接主攻28納米。

但28納米世代已改采高介電（high-k）材料，臺積電將研發(fā)資源集中放在高介電金屬閘極（HKMG）及后閘極（gate-last）設計，率先導入28納米量產(chǎn)，也等于通吃全球28納米市場。

第二是臺積電20納米制程世代不再區(qū)分高效能或低功耗，只單純提供一種20納米系統(tǒng)單芯片制程，此一作法大幅降低研發(fā)費用，也抓到行動裝置內(nèi)建芯片的重要精髓，那就是20納米能優(yōu)化ARM應用處理器架構(gòu)及高度矽智財集成性，對主要客戶群來說能更快完成芯片設計定案及縮短進入市場時間。

第三是英特爾早已提供3D晶體管架構(gòu)制程Tri-Gate，并爭取到臺積電大客戶阿爾特拉（Altera）訂單，讓臺積電決定加快導入3D晶體管架構(gòu)的FinFET制程，16納米FinFET制程等于提前一年量產(chǎn)。此一決定也影響到之后10納米世代的技術藍圖如何布建，因為屆時可能會真正開始采用新一代的極紫外光（EUV）微影技術。

蔣尚義完成了這三件事，等于替臺積電前進10納米世代的未來5~7年打下牢固基礎，但在20納米開始量產(chǎn)、16納米市場大戰(zhàn)即將到來的此刻，蔣尚義決定退休，不僅考驗另2位共同營運長劉德音及魏哲家的帶領研發(fā)功力，也考驗臺積電能否不受人事異動影響，繼續(xù)自主完成新技術研發(fā)及導入量產(chǎn)。