EUV微影尚未功成　設備業(yè)者仍在努力

在日前于美國舊金山舉行的 Semicon West 半導體設備展上，仍在開發(fā)中的超紫外光(EUV)微影技術又一次成為討論焦點；歐洲微電子研究機構IMEC總裁暨執(zhí)行長Luc Van den Hove在一場座談會中表示：「EUV仍然是半導體產業(yè)界的最高優(yōu)先?！?br>荷蘭微影設備業(yè)者 ASML 在5月份以26億美元完成收購微影光源供應商Cymer，此收購案被認為是ASML更進一步堅定了發(fā)展EUV光源的決心；Cymer 是市場上三家被認為所開發(fā)之光源設備足以支援商業(yè)量產EUV設備的廠商之一。

而在 2月份，在另一場微影技術研討會(SPIE Advanced Lithography Conference)上，ASML所發(fā)表的資料顯示，該公司已將微影設備最大光源功率(source power)調高至55瓦。ASML發(fā)言人Ryan Young近日指出，55瓦應該足以支援產量每小時43片晶圓的EUV設備；而他也指出，ASML已經證實該光源能支援最大50瓦功率很長一段時間。

Young表示，ASML的EUV預產設備NXE:3100已經即將完成開發(fā)，一旦該公司將新的光源移植到擁有較大驅動雷射的NXE:3300系列EUV設備上，其50瓦功率可再提升至80瓦，支援每小時60片晶圓的產量。

根據Young的說法，提升光源功率──是EUV技術量產的一大瓶頸──是ASML目前唯一需要再取得進展的部分，該公司除將持續(xù)改善光源的原始功率，也將聚焦于有關可用性與劑量控制(dose control)等其他需要改善的地方。

Young指出，ASML的最新目標是在2014年左右的時間，達到可支援每小時70片晶圓的設備產量，這個吞吐量數字會是讓客戶認為值得投資EUV設備的臨界點；但他也強調：「每個客戶的制程都不一樣?！?br>
多數晶片制造商可能會認為EUV設備達到每小時100~150片晶圓產量，才具成本效益；但也有廠商認為，一開始每小時達到60~80片產量是可接受的。原本產業(yè)界預期EUV技術可在一年前量產，但卻遇到不少阻礙使得時程拖延；目前ASML有七套預產EUV開發(fā)設備。

英特爾在去年收購了15%的ASML股權，并拿出了額外約41億美元的資金專門支援EUV微影開發(fā)，期望能在2015下半年的10奈米節(jié)點布署EUV設備。不過在英特爾也表示打算擴展光學浸潤式微影在10奈米節(jié)點的應用，以因應屆時EUV技術尚未準備就緒的狀況；三星(Samsung)與臺積電(TSMC)也與ASML建立了類似的開發(fā)合作關系。

IMEC業(yè)務開發(fā)執(zhí)行副總裁Ludo Deferm表示，光學浸潤式微影擴展至10奈米節(jié)點在經濟上恐怕不可行，因為需要三道甚至更多的光罩，意味著成本可能會大幅增加。不過他也指出，IMEC認為EUV終有一天會邁向量產：「我們對此很有信心，但我們沒用水晶球占卜，無法準確說出未來將會如何?！?br>
編譯：Judith Cheng

(參考原文： EUV Litho Still a Work in Progress，by Dylan McGrath)