45nm 3D芯片 IBM將公布立體芯片技術(shù)細(xì)節(jié)

IBM將公布3D芯片細(xì)節(jié)回頂部
【PConline 資訊】根據(jù)最新消息，IBM透露了其3D芯片的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，45nm制程工藝的處理器和內(nèi)存組成立體結(jié)構(gòu)，作為服務(wù)器的核心，CPU的技術(shù)一備受矚目，最近由于晶體管尺寸接近物理極限，摩爾定律受到挑戰(zhàn)，尋找新技術(shù)拯救摩爾定律也成為當(dāng)前芯片制造者的焦點(diǎn)。


3D 芯片

根據(jù)國外媒體報道稱，IBM將會在舊金山舉行的IDEM2012大會上公布3D芯片的一些技術(shù)細(xì)節(jié)，國際電子設(shè)備大會有著60余年的歷史，匯聚著處理器芯片、內(nèi)存等的設(shè)計、技術(shù)等最新熱點(diǎn)。


IDEM2012

IBM預(yù)言未來芯片晶體管將會有很大的改變，目前是發(fā)展到集成電路的時期，很快就會進(jìn)入（Stacks Die）核心堆棧的時期，而在未來將會是模塊化的設(shè)計。


晶體管變化

Subraman S. Iyer，IBM高級技術(shù)工程師表示，3D模塊化的擴(kuò)展性架構(gòu)，能夠讓摩爾定律重獲新生。>>




23D處理器結(jié)構(gòu)介紹回頂部

IBM的文件顯示，其3D處理器架構(gòu)共有兩層芯片，其中底層的處理器經(jīng)過特殊處理相比來說會薄一點(diǎn)，兩層芯片之間通過Pb-Free C4相連接。


3D處理器架構(gòu)

IBM對3D芯片的研究由來已久，其和美光公司（Micron）計劃推出的3D內(nèi)存芯片HMC，存取數(shù)據(jù)能達(dá)128Gbps，是目前內(nèi)存的10倍。隨著芯片制程工藝從65nm，45nm再到22nm，電路的密集度越來越高，勢必會達(dá)到一個技術(shù)上的瓶頸，在電路密集度上達(dá)到一個極限，而3D芯片的設(shè)計概念的出現(xiàn)，給提高芯片性能開拓了另外一個途徑。


Hybrid Memory Cube

Hybrid Memory Cube（HMC），混合立方內(nèi)存芯片，由美光公司提出，這種混合立體內(nèi)存與CPU的數(shù)據(jù)傳輸速度將是現(xiàn)階段內(nèi)存技術(shù)的15倍，以便適應(yīng)高速發(fā)展的處理器和寬帶網(wǎng)絡(luò)。

除了3D芯片內(nèi)存，藍(lán)色巨人IBM還積極與各廠商合作推進(jìn)3D芯片這一新型概念，比如此前不久的3D處理器芯片。


芯片“摩天大樓”

2011年10月中旬，相關(guān)媒體報導(dǎo)，IBM與3M公司推出摩天大樓的處理器芯片，通過一種特殊的硅膠粘合劑將芯片組合在一起，成為芯片“摩天大樓”。>>

33D芯片研究前景回頂部
IBM和3M宣稱，這種摩天大樓的微處理器能比普通的處理器性能提升1000倍。


3D芯片“水冷”設(shè)計

就像摩天大樓不如平房土樓那樣冬暖夏涼一樣，3D芯片的散熱問題一直是反對者所質(zhì)疑的地方。想想目前處理器散熱都是網(wǎng)友在購買筆記本時考慮的一個重要項目，3D芯片的散熱問題可想而知。在2008年，IBM還設(shè)計用水來給3D芯片降溫。


芯片“摩天大樓”散熱

而在IBM與3M公司合作的“摩天大樓”處理器芯片中，散熱的問題由3M公司設(shè)計生產(chǎn)的特殊硅膠解決。


3D芯片液冷

2011年IBM 3D芯片大會上，IBM表示未來的立體芯片架構(gòu)中將會實現(xiàn)液冷技術(shù)。


摩爾定律

全文總結(jié)：近年來隨著芯片工藝的不斷發(fā)展，晶體管的尺寸也越來越接近物理極限，拯救摩爾定律也隨之提出，新材料以及3D結(jié)構(gòu)將是重要的兩個著手點(diǎn)，摩爾還說過，摩爾定律不是定律，他是一個機(jī)遇，拯救摩爾定律也需要不斷推陳出新的技術(shù)，而在這一過程中，誰能占得先機(jī)，提升集成電路的晶體管密度，提高芯片性能，誰就將在未來的芯片界站穩(wěn)腳跟。[返回頻道首頁]