2013年全球晶圓廠支出創(chuàng)427億美元新高

時(shí)間：2012-09-10 00:09:00

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[導(dǎo)讀]半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)組織SEMI的最新預(yù)測(cè)報(bào)告指出， 2013年全球晶圓廠支出預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)16.75%，達(dá)到427億美元的新高紀(jì)錄；SEMI也發(fā)現(xiàn)，全球晶圓廠支出有向東移動(dòng)的趨勢(shì)，因?yàn)槊绹?guó)的晶圓廠建設(shè)案正告一段落，輪到韓國(guó)、中國(guó)與臺(tái)灣

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)組織SEMI的最新預(yù)測(cè)報(bào)告指出， 2013年全球晶圓廠支出預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)16.75%，達(dá)到427億美元的新高紀(jì)錄；SEMI也發(fā)現(xiàn)，全球晶圓廠支出有向東移動(dòng)的趨勢(shì)，因?yàn)槊绹?guó)的晶圓廠建設(shè)案正告一段落，輪到韓國(guó)、中國(guó)與臺(tái)灣等地晶圓廠開始推動(dòng)支出計(jì)劃。

根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，目前全球有超過(guò)1,150座晶片制造廠，其中包括300座以上的光電元件與LED 制造廠；該組織預(yù)期2012年總計(jì)將有76座廠房開始量產(chǎn)。SEMI所統(tǒng)計(jì)的晶圓廠支出項(xiàng)目，包括新設(shè)備/二手設(shè)備的采購(gòu)，以及原有設(shè)備的整新，但不包括測(cè)試與封裝設(shè)備。晶圓廠設(shè)備支出的目的則包括擴(kuò)充產(chǎn)能、制程節(jié)點(diǎn)升級(jí)，以及晶圓尺寸的改變/增大。

SEMI表示，2012年全球晶圓廠支出中，有100億美元來(lái)自晶圓代工業(yè)者的投資；而估計(jì)在2013年，晶圓代工業(yè)者的晶圓廠設(shè)備投資金額將維持在100億美元左右。

以區(qū)域來(lái)看，美國(guó)業(yè)者在2012年的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目占據(jù)全球最大比例；在2010年至2012年，美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目支出累計(jì)超過(guò)60億美元，來(lái)自英特爾(Intel)、 Globalfoundries、三星(Samsung)與美光(Micron)。

上述美國(guó)廠商的晶圓廠建設(shè)計(jì)劃大多數(shù)將在2012年底完工，而且預(yù)期當(dāng)?shù)匚磥?lái)并沒有更多大型晶圓廠設(shè)置計(jì)劃；因此美國(guó)廠商的晶圓廠支出金額將由2012年的30億美元，在2013年減少至5億美元以下。2013年大多數(shù)的晶圓廠建設(shè)計(jì)劃是在臺(tái)灣、中國(guó)與韓國(guó)。

[!--empirenews.page--]據(jù)了解，三星計(jì)劃將現(xiàn)有的四條記憶體生產(chǎn)線，改為邏輯晶片生產(chǎn)線；同時(shí)該公司打算在中國(guó)西安投資70億美元興建一座NAND快閃記憶體工廠，預(yù)計(jì)2012年9月中旬動(dòng)土。其他晶圓廠建設(shè)計(jì)劃包括中芯國(guó)際(SMIC)的北京新晶圓廠，以及臺(tái)積電(TSMC)、聯(lián)電(UMC)兩家晶圓代工業(yè)者在臺(tái)灣的新晶圓廠計(jì)劃。