SEMI研究報告稱2013年全球光刻掩膜板市場可達(dá)33.5億美元規(guī)模
掩模制造市場正變得越來越資本密集型；據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，2011年是掩膜/光罩制造設(shè)備創(chuàng)紀(jì)錄的一年，比上一個歷史記錄高點2010年再增長了36％達(dá)到11.1億美元。隨著光刻掩膜板行業(yè)的資本密集度增強，專有光刻掩膜板(captive photomask)廠商的市場占有率也不斷擴(kuò)大，與2006年的30％相比擴(kuò)大到 40％。
數(shù)據(jù)1：2011年各地區(qū)光刻掩膜板市場比例
來源：《Photomask Characterization Summary》報告
針對sub 45納米制程節(jié)點，透過顯影光源優(yōu)化(Source Mask Optimization，SMO)的應(yīng)用將可擴(kuò)展單次曝光程序，而雙重曝光(double patterning)技術(shù)也被視為重要方案。為了協(xié)助將光學(xué)光刻技術(shù)延伸至22納米節(jié)點尺寸，除了雙重曝光和SMO之外，芯片制造商還打算利用運算光刻 (computational lithography)的技術(shù)。定向自裝作為延伸光學(xué)光刻到10nm節(jié)點的一個可能的方法近日獲得了大量的關(guān)注。
雖然EUV的光源和光阻已有所改善，但目前EUV已被推遲至少到14nm節(jié)點，但一些產(chǎn)業(yè)觀察人士認(rèn)為EUV可能在10nm進(jìn)入量產(chǎn)。然而，有關(guān)技術(shù)準(zhǔn)備的擔(dān)憂依然存在，一些芯片制造商在14nm采用并行的光刻技術(shù)路線圖。何時或是否EUV會被廣泛采用，還得取決于成本考慮，以及能否為此革命性技術(shù)形成新的供應(yīng)鏈。
而對于大批量光刻掩膜板(merchant photomask)供貨商來說，經(jīng)濟(jì)方面的不確定性因素遠(yuǎn)比技術(shù)問題更讓人頭痛，隨著線寬必須不斷縮小的趨勢下，廠商面臨諸多艱巨的挑戰(zhàn)，更多先進(jìn)的光刻掩膜板工具和材料必須應(yīng)運而生，但卻僅有部份的客戶會轉(zhuǎn)移至更小尺寸的產(chǎn)品，而且似乎對于專有光刻掩膜板廠商的依賴也日益加深，因此批發(fā)式光刻掩膜板產(chǎn)業(yè)必須在一個正在萎縮的市場上找到它的平衡點，既能進(jìn)行技術(shù)升級發(fā)展也能兼顧資本成本。
SEMI最近發(fā)表了《Photomask Characterization Summary》，對2011年的光刻掩膜板市場提供詳細(xì)的分析，并以全球七個主要地區(qū)，包括北美、日本、歐洲、臺灣、韓國、中國、以及其它地區(qū)進(jìn)行市場分析，該報告還囊括每一地區(qū)從2006至2013年間的相關(guān)數(shù)據(jù)。
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