宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)0.13微米嵌入式EEPROM模塊

宏力半導(dǎo)體先進(jìn)的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲技術(shù)，第一次在0.13微米1.5伏低漏電、低功耗邏輯工藝平臺上實(shí)現(xiàn)了閃存模塊和EEPROM模塊的完美結(jié)合。基于該先進(jìn)技術(shù)開發(fā)出的0.13微米嵌入式EEPROM模塊，數(shù)據(jù)保持時間達(dá)到100年，擦寫次數(shù)大幅提高到50萬次。此次顯著的技術(shù)創(chuàng)新與提升，標(biāo)志著宏力半導(dǎo)體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域邁入了新的里程碑，進(jìn)一步鞏固了宏力半導(dǎo)體在嵌入式非揮發(fā)性存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

“0.13微米嵌入式EEPROM模塊因其耐久的數(shù)據(jù)保持時間和優(yōu)異的擦寫能力，一經(jīng)推出，就受到了客戶的青睞。”企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經(jīng)理傅城博士表示，“搭載該模塊的產(chǎn)品能夠為客戶提供高可靠性、低成本的解決方案，在銀行卡、金融IC卡、移動支付、RFID、電子護(hù)照等安全類芯片和MCU中具有廣闊的前景?！?/p>