應材蝕刻技術大突破

半導體設備大廠應用材??料推出最先進的蝕刻技術－Applied Centura Avatar介電層蝕刻系統(tǒng)，這項突破性的系統(tǒng)是解決建立3D記憶體架構的嚴峻挑戰(zhàn)；3D記憶體架構可提供高密度兆位元儲存容量，為未來資料密集型行動裝置所必需。
應用材料表示，Avatar系統(tǒng)可在復合薄膜堆疊層中進行孔洞性蝕刻及溝槽性蝕刻，深寬比可高達80比1，單一制程能同時蝕刻出各種不同深度的結構，以形狀比例來形容的話，美國華盛頓紀念碑的深寬比是10比1高，臺北101大樓約9比1。
此外，該系統(tǒng)是第一款具備能同時蝕刻深度變化落差極大的特征結構功能的系統(tǒng)，對于制造連接外界與各層記憶單元的「階梯式」接觸結構非常重要。
應用材料副總裁暨蝕刻事業(yè)群總經(jīng)理琶布．若杰（Prabu Raja）表示，3D記憶體結構必須在復雜的多層材料堆疊中進行深度的特征結構蝕刻，Avatar系統(tǒng)利用我們在電漿領域的領導技術，解決3D記憶體結構的制程挑戰(zhàn)。客戶對于新系統(tǒng)的突破性功能非常感興趣，已售出超過30組系統(tǒng)給多家客戶，用于各項重要應用。