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[導(dǎo)讀]全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料昨(7)日宣布推出關(guān)鍵性離子植入技術(shù),能幫助未來的晶片進(jìn)行微縮。新的Applied Varian VIISta Trident系統(tǒng),可提供精確的植入劑量和角度控制,滿足先進(jìn)電晶體結(jié)構(gòu)的需求,已是主要晶圓

全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料昨(7)日宣布推出關(guān)鍵性離子植入技術(shù),能幫助未來的晶片進(jìn)行微縮。新的Applied Varian VIISta Trident系統(tǒng),可提供精確的植入劑量和角度控制,滿足先進(jìn)電晶體結(jié)構(gòu)的需求,已是主要晶圓代工廠中進(jìn)入20奈米制程的首選工具。
應(yīng)用材料推出新的Applied Varian VIISta Trident系統(tǒng),是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最先進(jìn)的單晶片式高電流離子植入系統(tǒng)。應(yīng)材指出,在嵌入「摻雜物」原子的晶片電性工程中,該新系統(tǒng)是唯一被驗證具有能力達(dá)成20奈米高效與節(jié)能邏輯晶片制程量產(chǎn)所需良率的高電流離子植入機(jī)。
在20奈米制程世代中,如何將摻雜原子活化,并抑制延伸層、源極/汲極層、和接觸層中的晶格瑕疵(crystal defects),已成為在高效能電晶體尺寸微小化過程中的重大挑戰(zhàn)。新系統(tǒng)的獨特功能,對于如何精確控制摻雜原子的濃度和縱深分布,以達(dá)成先進(jìn)元件的高效能、控制漏電流、減少功能變異性等要求,具有關(guān)鍵性的影響。
應(yīng)用材料副總裁暨瓦里安事業(yè)部總經(jīng)理鮑勃.哈里戴(Bob Halliday)表示,典型的先進(jìn)邏輯晶片需要多達(dá)60道的植入步驟,這包括共同植入技術(shù)與高精密度材質(zhì)調(diào)整的應(yīng)用,VIISta Trident系統(tǒng)所具備的高精準(zhǔn)度技術(shù),對于客戶是否能在最先進(jìn)的產(chǎn)品制程上快速達(dá)到可以獲利的良率水準(zhǔn)來說,是一項不可或缺的要素。VIISta Trident系統(tǒng)效能表現(xiàn)優(yōu)異的關(guān)鍵,是來自于為增強(qiáng)低能量離子植入效能所設(shè)計的雙磁鐵偏轉(zhuǎn)帶狀離子光束的專利架構(gòu)。此系統(tǒng)的能量純化模組,可完全消除具破壞性的高能量離子物質(zhì)。

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