華潤(rùn)上華推出0.25微米Scalable BCD工藝平臺(tái)

時(shí)間：2012-06-07 17:34:00

關(guān)鍵字： BCD 微米 SCALABLE MOS

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[導(dǎo)讀]華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已完成0.25微米ScalableBCD工藝平臺(tái)開發(fā)，其更低成本和更高的可移植性可滿足客戶多樣化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求，進(jìn)一步提高了華潤(rùn)上華BCD系列工藝平

華潤(rùn)微電子有限公司旗下的華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱“華潤(rùn)上華”）宣布已完成0.25微米ScalableBCD工藝平臺(tái)開發(fā)，其更低成本和更高的可移植性可滿足客戶多樣化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求，進(jìn)一步提高了華潤(rùn)上華BCD系列工藝平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

華潤(rùn)上華的0.25微米ScalableBCD工藝平臺(tái)為0.5微米前段制程與0.25微米后段制程，由之前0.25微米24VBCD工藝平臺(tái)延伸而來，核心器件工作電壓為5V，提供DMOS工作電壓為12V至45V的高壓器件與功率器件，其擊穿電壓由20V延伸到80V。該工藝廣泛應(yīng)用于DC-DC電源轉(zhuǎn)換、LED照明驅(qū)動(dòng)及LED背光驅(qū)動(dòng)IC。

該工藝后段采用鋁制程，最多可支持5層鋁連線，具有低Rdson的優(yōu)秀性能表現(xiàn)，提供多種優(yōu)化的器件結(jié)構(gòu)，以幫助客戶提升成本效益的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)。與華潤(rùn)上華的0.25微米24VBCD工藝相比，0.25微米ScalableBCD工藝平可以將芯片DMOS工作電壓延伸更高至45V。同時(shí)該工藝能提供多段式電壓的選擇，可藉由調(diào)整設(shè)計(jì)而不額外增加光罩層數(shù)，具有低成本、高可移植性的優(yōu)勢(shì)，能夠滿足多樣化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)需求。

與此同時(shí)，華潤(rùn)上華0.25微米ScalableBCD工藝平臺(tái)可提供經(jīng)驗(yàn)豐富的ESD解決方案與ESD設(shè)計(jì)支持，設(shè)計(jì)支持部分可提供完整的PDK與優(yōu)化的設(shè)計(jì)流程，以滿足客戶芯片設(shè)計(jì)的需求。