臺積電、瑞薩在微控制器技術合作擴大至40納米

臺積電(2330)、瑞薩電子今（28）日共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，擴大在微控制器(MCU)技術方面的合作至40納米嵌入式快閃存儲器(eFlash)制程，以生產(chǎn)應用于下一世代汽車及家電等消費性產(chǎn)品的微控制器。
瑞薩電子先前已同意采用臺積公司90納米嵌入式快閃存儲器制程為該公司生產(chǎn)微控制器；在此40納米微控制器合作案中，瑞薩電子將委托臺積電(2330)生產(chǎn)40納米及更先進制程的微控制器。

瑞薩電子與臺積公司將共同合作在MCU平臺與制造所需的先進技術上取得領先地位，結合瑞薩電子支持高可靠性及高速優(yōu)勢的金屬氧化氮氧化矽（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS）技術與臺積電高質量技術的支持，包括先進的互補金屬氧化物半導體（CMOS）制程與靈活的產(chǎn)能調度。
此外，藉由將此MONOS制程平臺提供給遍布全球的其它半導體供應商，包括無晶圓廠（Fabless）公司及集成元件制造商（IDM），瑞薩電子與臺積電將致力于建置一個設計生態(tài)環(huán)境，并且擴大客戶群。
瑞薩電子資深副總巖元伸一表示，為了達到全球業(yè)務持續(xù)成長的目標，臺積公司能夠提供其產(chǎn)品迅速量產(chǎn)的優(yōu)勢，并且給予最大的彈性，因應市場劇烈波動時的需求。根據(jù)去年歷經(jīng)日本大地震沖擊多條生產(chǎn)線與客戶業(yè)務之后所學習到的經(jīng)驗，瑞薩已經(jīng)加快晶圓廠網(wǎng)絡（Fab Network）的布建，成為公司營運持續(xù)計劃（Business Continuity Plan, BCP）之中的一環(huán)。
臺積公司表示，相較于目前的90納米制程，采用40納米制程生產(chǎn)的微控制器產(chǎn)品具備更高速、更低功耗的優(yōu)勢，而且芯片尺寸縮小逾50%，這些特性對于集成型微控制器的設計格外重要，該設計將邏輯芯片、存儲器及其它系統(tǒng)零組件壓縮至極小的面積上。