聯(lián)電Q3 EPS 0.16元 第4季本業(yè)維持獲利
[導(dǎo)讀]聯(lián)電(2330-TW)(UMC-US)今(26)日公布今年第三季財務(wù)報告，營收入為新臺幣 251.9億元，與上季的新臺幣 281.5億元相比降低 10.5 %，較去年同期的新臺幣326.5億元減少約22.9 %。本季毛利率19.8%，季減4.1%，仍優(yōu)于早先公
聯(lián)電(2330-TW)(UMC-US)今(26)日公布今年第三季財務(wù)報告，營收入為新臺幣 251.9億元，與上季的新臺幣 281.5億元相比降低 10.5 %，較去年同期的新臺幣326.5億元減少約22.9 %。本季毛利率19.8%，季減4.1%，仍優(yōu)于早先公司預(yù)期，營業(yè)凈利率為6.1%，稅后凈利新臺幣19.5億元，每股普通股獲利為新臺幣0.16元。
聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，聯(lián)電2011年第三季表現(xiàn)符合預(yù)期，營業(yè)收入下降主要是受到單季出貨量減少10.5%的影響。第三季出貨量約當(dāng)八寸晶圓103萬片，平均銷售單價持平，整體產(chǎn)能利用率季減10%，為74%，先進65奈米及以下制程產(chǎn)品營收占第三季營收40%。
孫世偉表示，「公司對半導(dǎo)體市場仍延續(xù)前一季的看法：在歐美債信及中國市場通膨未獲解決，同時整體供應(yīng)鏈庫存之分布及去化能見度不高，客戶仍保守看待市場需求，半導(dǎo)體市況也將持續(xù)趨緩」。
孫世偉強調(diào)，將審慎因應(yīng)市場變化。他預(yù)估，「聯(lián)電第四季營收下降的幅度將縮小，配合經(jīng)營效率及成本結(jié)構(gòu)的改善，第四季本業(yè)仍將維持獲利」。
強化開發(fā)28奈米技術(shù)及IP 28HPM制程在2012年中試產(chǎn)
展望未來，孫世偉信心表示，盡管身處在快速變動的半導(dǎo)體市場，相信客戶導(dǎo)向之高階制程及設(shè)計平臺的開發(fā)是下一波成長的基礎(chǔ)，因此除了已經(jīng)進入量產(chǎn)的40奈米制程，更投入大量資源開發(fā)28奈米技術(shù)及 IP，包括28奈米 High-K/Metal-Gate 28HPM及28奈米 Poly/SiON 28HLP 制程。
28HPM 制程采用主流的 Gate-Last 架構(gòu)，適用于先進手持裝置、高速網(wǎng)路等需要高效能的產(chǎn)品；28HLP 制程在極具成本競爭優(yōu)勢的 Poly/SiON 基礎(chǔ)上采用創(chuàng)新的高效制程技術(shù)，進一步提供絕佳的性能/價格比。聯(lián)電先進的28奈米制程配合客戶與 ARM 及 Synopsys 合作建構(gòu)的 IP 設(shè)計平臺，提供一個非常完整的 28奈米解決方案。
28HLP及28HPM將為推動成長雙引擎
聯(lián)電目前28HLP制程已進入產(chǎn)品試產(chǎn)階段，28HPM制程也將在2012年中進入試產(chǎn)階段，聯(lián)電樂觀預(yù)期，28HLP及 28HPM將成為推動聯(lián)電高階制程成長的雙引擎，在未來數(shù)年中強化聯(lián)電的競爭力并提供客戶最適切之晶圓專工解決方案。
聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，聯(lián)電2011年第三季表現(xiàn)符合預(yù)期，營業(yè)收入下降主要是受到單季出貨量減少10.5%的影響。第三季出貨量約當(dāng)八寸晶圓103萬片，平均銷售單價持平，整體產(chǎn)能利用率季減10%，為74%，先進65奈米及以下制程產(chǎn)品營收占第三季營收40%。
孫世偉表示，「公司對半導(dǎo)體市場仍延續(xù)前一季的看法：在歐美債信及中國市場通膨未獲解決，同時整體供應(yīng)鏈庫存之分布及去化能見度不高，客戶仍保守看待市場需求，半導(dǎo)體市況也將持續(xù)趨緩」。
孫世偉強調(diào)，將審慎因應(yīng)市場變化。他預(yù)估，「聯(lián)電第四季營收下降的幅度將縮小，配合經(jīng)營效率及成本結(jié)構(gòu)的改善，第四季本業(yè)仍將維持獲利」。
強化開發(fā)28奈米技術(shù)及IP 28HPM制程在2012年中試產(chǎn)
展望未來，孫世偉信心表示，盡管身處在快速變動的半導(dǎo)體市場，相信客戶導(dǎo)向之高階制程及設(shè)計平臺的開發(fā)是下一波成長的基礎(chǔ)，因此除了已經(jīng)進入量產(chǎn)的40奈米制程，更投入大量資源開發(fā)28奈米技術(shù)及 IP，包括28奈米 High-K/Metal-Gate 28HPM及28奈米 Poly/SiON 28HLP 制程。
28HPM 制程采用主流的 Gate-Last 架構(gòu)，適用于先進手持裝置、高速網(wǎng)路等需要高效能的產(chǎn)品；28HLP 制程在極具成本競爭優(yōu)勢的 Poly/SiON 基礎(chǔ)上采用創(chuàng)新的高效制程技術(shù)，進一步提供絕佳的性能/價格比。聯(lián)電先進的28奈米制程配合客戶與 ARM 及 Synopsys 合作建構(gòu)的 IP 設(shè)計平臺，提供一個非常完整的 28奈米解決方案。
28HLP及28HPM將為推動成長雙引擎
聯(lián)電目前28HLP制程已進入產(chǎn)品試產(chǎn)階段，28HPM制程也將在2012年中進入試產(chǎn)階段，聯(lián)電樂觀預(yù)期，28HLP及 28HPM將成為推動聯(lián)電高階制程成長的雙引擎，在未來數(shù)年中強化聯(lián)電的競爭力并提供客戶最適切之晶圓專工解決方案。
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