聯(lián)電與Synopsys擴(kuò)展夥伴關(guān)系至28奈米制程節(jié)點(diǎn)

聯(lián)華電子(UMC，以下簡(jiǎn)稱聯(lián)電)與新思科技(Synopsys)共同宣布雙方擴(kuò)展夥伴關(guān)系，將于聯(lián)電 28奈米HLP Poly SiON制程平臺(tái)上開發(fā)新思科技的 DesignWare IP 。延續(xù)之前在聯(lián)電40奈米與55奈米制程的成功經(jīng)驗(yàn)，新思科技將會(huì)于聯(lián)電28奈米HLP Poly SiON制程上，導(dǎo)入其經(jīng)驗(yàn)證的DesignWare嵌入式記憶體，以及邏輯元件資料庫(kù)。
聯(lián)電表示，此次合作將晶片設(shè)計(jì)公司得以在較低的風(fēng)險(xiǎn)下，設(shè)計(jì)出高速低功耗的系統(tǒng)單晶片，并取得更快的產(chǎn)品上市時(shí)程。兩家公司長(zhǎng)久以來(lái)的合作，涵跨了聯(lián)華電子0.18微米至28奈米制程，而成功研發(fā)出的高品質(zhì)DesignWare IP，正是這份穩(wěn)固合作關(guān)系下的豐碩成果。

聯(lián)電的 28奈米HLP制程除了保留傳統(tǒng)Poly SiON技術(shù)的成本競(jìng)爭(zhēng)力，更采用了創(chuàng)新的制程技術(shù)，具備絕佳的性價(jià)比，與業(yè)界其他28奈米Poly SiON制程相比較，大幅提升了效能與功耗表現(xiàn)。此一強(qiáng)化的28奈米Poly SiON制程，提供晶片設(shè)計(jì)者由40奈米制程到28奈米制程更順暢的移轉(zhuǎn)路徑，使晶片設(shè)計(jì)能夠輕易地導(dǎo)入制程并且快速上市。

新思科技廣泛的產(chǎn)品組合，包含了經(jīng)速度，功耗與位面積最佳化，并經(jīng)過(guò)10億顆以上晶片驗(yàn)證的嵌入式記憶體與標(biāo)準(zhǔn)元件資料庫(kù)。DesignWare嵌入式記憶體與邏輯元件資料庫(kù)包括了先進(jìn)的電源管理功能，例如淺待機(jī)，深待機(jī)與關(guān)機(jī)，還有一個(gè)電源最佳化套件，藉以延長(zhǎng)手持式應(yīng)用產(chǎn)品的電池壽命。此外，新思科技整合型STAR Memory System測(cè)試與修復(fù)解決方案，可讓晶片設(shè)計(jì)公司達(dá)到更高測(cè)試品質(zhì)與嵌入式記憶體良率，同時(shí)降低晶片面積。

支援聯(lián)華電子28奈米HLP制程的新思科技DesignWare嵌入式記憶體與邏輯元件資料庫(kù)，預(yù)計(jì)于2012年第二季推出。新思科技的晶圓專工矽智財(cái)支援專案中的部分內(nèi)容，包含了于聯(lián)華電子28奈米HLP制程平臺(tái)上，免費(fèi)提供嵌入式記憶體與邏輯元件資料庫(kù)給合乎資格的獲授權(quán)者使用。聯(lián)華電子的28奈米Poly SiON技術(shù)現(xiàn)已在客戶產(chǎn)品試產(chǎn)中，并可接受客戶design-in。