華虹NEC的Super Junction工藝開發(fā)項(xiàng)目取得顯著成果

時(shí)間：2011-10-14 05:43:00

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[導(dǎo)讀]上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”）今日宣布，憑借在MOSFET方面雄厚的技術(shù)實(shí)力和生產(chǎn)工藝，成功開發(fā)了新一代創(chuàng)新型MOSFET代工方案——600-700VSuperJunction（超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)）MOSFET(SJNFET)工藝，并開始進(jìn)

上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱“華虹NEC”）今日宣布，憑借在MOSFET方面雄厚的技術(shù)實(shí)力和生產(chǎn)工藝，成功開發(fā)了新一代創(chuàng)新型MOSFET代工方案——600-700VSuperJunction（超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)）MOSFET(SJNFET)工藝，并開始進(jìn)入量產(chǎn)階段。此SJNFET工藝平臺(tái)的成功推出，標(biāo)志著華虹NEC在功率分立器件領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展，將為客戶提供更豐富的工藝平臺(tái)與代工服務(wù)。

早在2008年，華虹NEC就在8英寸代工廠中首家推出了400-800V的Trench（溝槽類型）結(jié)構(gòu)的高壓MOSFET工藝平臺(tái)。2010年華虹NEC再接再厲，突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級(jí)難題，成功開發(fā)了一種新型SJNFET的制程工藝，從而突破了MOSFET界所謂的“硅極限”（導(dǎo)通電阻正比于擊穿電壓的2.4~2.6次方），在同樣的封裝條件下能夠?qū)崿F(xiàn)更低的導(dǎo)通阻抗和更快的開關(guān)頻率。

華虹NEC的SJNFET工藝平臺(tái)是華虹NEC針對(duì)市電范圍的開關(guān)電源、AC/DC、適配器/充電器和LED照明等應(yīng)用而開發(fā)的，擁有開關(guān)速度更快、開關(guān)損耗更低、芯片面積更小、導(dǎo)通電阻更小等優(yōu)點(diǎn)，是世界節(jié)能減排目標(biāo)實(shí)現(xiàn)的重要功率半導(dǎo)體技術(shù)之一。目前已有多家國(guó)內(nèi)外客戶采用此平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，各項(xiàng)性能和指標(biāo)達(dá)到并優(yōu)于業(yè)界水平。

在功率分立器件領(lǐng)域，華虹NEC是全球首家提供MOSFET代工服務(wù)的8英寸晶圓廠，也是世界上出貨量最大的廠家，截至目前，分立器件累計(jì)出貨超過250萬(wàn)片8英寸晶圓。華虹NEC銷售與市場(chǎng)副總裁高峰表示，“SuperJunction項(xiàng)目將進(jìn)一步擴(kuò)展豐富華虹NEC的工藝線，并且進(jìn)一步鞏固公司在功率分立器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。華虹NEC將繼續(xù)發(fā)揮自身工藝和研發(fā)優(yōu)勢(shì)，為促進(jìn)和推進(jìn)國(guó)內(nèi)新型電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而努力。”