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[導(dǎo)讀]圖1:使用SiC的Si面時,BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大) 圖2:使用SiC的C面時,BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大) 日本京都大學(xué)副教授須田淳等的研究小組在SiC國際會議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT(bip


圖1:使用SiC的Si面時,BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大)

圖2:使用SiC的C面時,BJT的電流放大率(點(diǎn)擊放大)
日本京都大學(xué)副教授須田淳等的研究小組在SiC國際會議“ICSCRM 2011”上公布了正在研發(fā)的SiC制BJT(bipolar junction transistor)的最新成果。該研究小組曾在2011年5月舉行的功率半導(dǎo)體相關(guān)國際學(xué)會“ISPSD 2011”上,公布了室溫下電流放大率高達(dá)257的BJT(參閱本站報道)。而此次公布了同一BJT在高溫下工作時的電流放大率。具體為在250℃下工作時,電流放大率達(dá)到127(圖1)。據(jù)該研究組介紹,以前公布的SiC制BJT中,在250℃下工作時電流放大率沒有超過100的。

雖然BJT具有導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),但因其屬于電流控制型,所以BJT控制電路容易變大。要彌補(bǔ)這個弱點(diǎn),需要提高電流放大率。這樣,即使小電流也可開關(guān)BJT,有望縮小BJT控制電路的尺寸。實(shí)際電路中使用的目標(biāo)電流放大率為“100”(京都大學(xué)須田),而此次在250℃的高溫下工作,電流放大率也超過了這一目標(biāo)值。

上述成果是使用被稱為“Si面”的SiC結(jié)晶面取得的數(shù)值。據(jù)研究小組介紹,使用C面時,電流放大率在室溫下和250℃時,分別得到了439和165的高電流放大率(圖2)。但是由于摻雜濃度小、耐壓低的緣故,所以與原來的功率元件用SiC制BJT“不能籠統(tǒng)地進(jìn)行比較”(京都大學(xué)的須田)。 (記者:根津 禎,《日經(jīng)電子》)

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