聯(lián)華推擁有高耐久性與可變電壓范圍嵌入式 EEPROM 解決方案

臺灣新竹, 2011年8月30日 /美通社-PR Newswire/ -- 領(lǐng)先的全球半導(dǎo)體生產(chǎn)商聯(lián)華電子股份有限公司 （簡稱「聯(lián)華電子」(UMC)）今天宣布，在 eEEPROM（嵌入式可電刪可程式設(shè)計唯讀記憶體）解決方案研發(fā)上已有突破性進展，將推出 I/O 電壓范圍為1.8V-5V，寫入抹除耐久性為一百萬次的解決方案。此技術(shù)為該晶圓廠多年來致力于 eEEPROM 開發(fā)的重要里程碑。嵌入式 EEPROM 可應(yīng)用于銀行金融卡、智慧卡、身分識別卡以及微控制器等產(chǎn)品。

聯(lián)華電子 eEEPROM 的1.8V-5V I/O 電壓范圍，在延長掌上型應(yīng)用產(chǎn)品電池壽命上，擁有優(yōu)異的表現(xiàn)。標準的2.5V/3.3V 或1.8V/3.3V 輸入電壓，需要雙元件與電壓調(diào)整器，才能達到這些固定電壓以外的范圍。而聯(lián)華電子尖端的 eEEPROM 解決方案，則僅需單一元件，且不需要額外的電路，即可提供1.8V-5V 可變電壓范圍。此高彈性高效率的系統(tǒng)單晶片制程，可同時兼具更小尺寸與更長電池壽命的兩項優(yōu)勢。

而在耐久性方面，除了標準的十萬次之外，聯(lián)華電子現(xiàn)提供一百萬次寫入抹除回圈，作為 eEEPROM 解決方案的另一選擇。藉由此一高效能技術(shù)，聯(lián)華電子客戶將可推出能大幅延長產(chǎn)品壽命的高可靠度嵌入式記憶體元件。

「eEEPROM 是個挑戰(zhàn)性十足的技術(shù)，而我們在此領(lǐng)域的優(yōu)越表現(xiàn)，彰顯了聯(lián)華電子在特殊技術(shù)上對客戶的承諾，致力于提供客戶一系列創(chuàng)新、高效能、尺寸更小的解決方案，」聯(lián)華電子特殊技術(shù)開發(fā)處陳立哲資深處長表示：「在延長電池壽命及寫入抹除回圈次數(shù)上，聯(lián)華電子很高興能有此長足進步，可協(xié)助客戶滿足現(xiàn)今尖端應(yīng)用產(chǎn)品之多元化與高標準的技術(shù)需求?！?

聯(lián)華電子的 eEEPROM 技術(shù)目前已于0.35微米與0.25微米制程量產(chǎn)，并于0.18微米制程試產(chǎn)。0.11微米制程正在研發(fā)中，預(yù)計于明年初推出?；A(chǔ)智慧財產(chǎn)權(quán)，例如 eEEPROM macros、標準元件資料庫與 SRAM，皆包含于此解決方案中，使客戶得以優(yōu)化其微系統(tǒng)設(shè)計并加速設(shè)計導(dǎo)入。

消息來源 聯(lián)華電子股份有限公司