英特爾3D芯片 年底投產

全球最大半導體制造商英特爾公司（Intel）4日發(fā)表以3D技術制造處理器的最新制程(三維晶體管)，可提高芯片效能多達37%，并降低耗電量，預定年底前投產。英特爾說，這是半導體技術逾50年來最重大的突破。英特爾計劃把芯片的關鍵元件晶體管轉變?yōu)榇怪钡啮挔罴軜?，增加芯片的晶體管數量，其原理類似城市里高聳的建筑物能堆疊出更多辦公空間；該公司將成為第一家量產3D架構芯片的業(yè)者。
芯片設計師迄今都藉水平縮減晶體管的電路寬度，來提高芯片的晶體管密度，擠進更多晶體管，排列有如緊鄰的平房；但3D方式增加垂直面向，有助于容納更多晶體管，提高運作效能。

英特爾說，代號「Ivy Bridge」的新微處理器是首款采用3D三閘（tri-gate）晶體管的芯片，訂今年底前投產。英特爾主管也表示，首款微處理器產品將以高階桌上型計算機和服務器系統為主要目標，可能明年初推出。

這款新芯片將率先采用22納米制程，比現有32納米體系更能密集堆疊晶體管。這項新技術也將提高智能手機和平板計算機的運算效能，并加速企業(yè)資料中心的運作速度，使英特爾的產品領先其它對手一代。

主導新制程發(fā)展的英特爾資深院士波爾說：「英特爾將藉這項突破進一步領先其它半導體業(yè)者，新技術的低電壓和低功耗的優(yōu)勢遠大過只是跨入新一代制程?！顾f，在相同效能下，新技術的耗電量是英特爾目前制程的一半。

分析師指出，這款新芯片雖主打個人計算機，但英特爾的處理器將可藉由這項新技術的低耗電特性，打入手機和其它依賴電池供電的裝置市場。VLSI研究公司半導體產業(yè)分析師哈金森就說，這項3D架構創(chuàng)新將強化英特爾Atom產品和與安謀公司（ARM）芯片競爭的實力。

3D芯片=三維晶體管

晶體管在集成電路中主要是作為一種可變開關，依據輸入的電壓，控制電流，因此晶體管可做為電流的開關；傳統是機械開關，晶體管的開關速度可以非?？臁?br>
依據摩爾定律，每隔18個月，同樣面積的晶體管密度就增加一倍，意謂晶體管會愈縮愈小，縮到最后會碰到極限。

摩爾定律這樣的立論基礎，通常是二維（2D）晶體管的架構，也就是晶體管的增加，是往平面的方向發(fā)展。

工程師為在晶圓上擠入更多的晶體管，突破現有二維的架構，將電路往垂直方向延伸，也就是把晶體管堆迭起來，英特爾、臺積電、IBM、三星等半導體大廠，均投入三維（3D）晶體管的研發(fā)。

半導體業(yè)者表示，半個多世紀以來，晶體管一直都在使用2D平面結構，但英特爾昨天宣布，完成全球首顆可以量產的三維晶體管（3D Tri-Gate），等于宣告晶體管進入3D時代。

依英特爾宣稱，開發(fā)成功的三維晶體管，比平面晶體管性能提升37% ，而且同等性能下耗電量減少一半，這意味著它們更加適合用于小型的行動載具。