新日鐵增加SiC基板產能，2011年內上市外延基板

新日鐵的SiC基板產品群（點擊放大）

基板質量出色（點擊放大）
新日本制鐵（新日鐵）計劃在2012年3月底之前，將新一代功率半導體用4英寸（100mm）以下口徑的SiC基板產能增至目前約3倍的1000枚/月。為滿足SiC基板的需求擴大，“打算將原計劃提前約一年進行增產”（新日鐵材料常務董事SiC晶圓部部長伊藤睿）。

據新日鐵介紹，目前該公司的SiC基板產能為300～400枚/月。其中大部分不是用于最終產品的，而是作為評測樣品提供。全球整體的產能目前為2000枚/月左右，預計2014～2015年將達到6000枚/月。為了應對需求增加，“新日鐵打算首先建立1000枚/月的穩(wěn)定供應體制”（伊藤）。

此外,新日鐵還宣布，計劃2011年內上市在SiC塊體基板上生長外延薄膜的SiC外延基板。“將在2011年內建立只要客戶要求就能銷售的體制”（伊藤）。預計將支持4英寸（100mm）以內的口徑。

關于6英寸（150mm）口徑SiC基板的產品化計劃，“計劃在2011年度內供貨樣品”（新日鐵技術開發(fā)本部尖端技術研究所新材料研究部長大橋渡）。預計量產開始時間在2012年以后?！靶氯砧F將趕在SiC功率半導體市場全面啟動的2015年前后量產6英寸基板。在汽車和鐵路領域，采用SiC基板的好處尤其大”（伊藤）。（記者：大下 淳一）