臺(tái)積電全速進(jìn)軍18英寸晶圓時(shí)代

在日前于美國(guó)加州舉行的2011年臺(tái)積電技術(shù)研討會(huì)(Technology Symposium)上，該公司透露了更多有關(guān)18英寸晶圓制造計(jì)劃的細(xì)節(jié)。根據(jù)業(yè)界消息，臺(tái)積電正全速進(jìn)軍18英寸晶圓技術(shù)領(lǐng)域，主要目的除了降低制造成本，也試圖借此領(lǐng)先諸如Globalfoundries、三星(Samsung)、聯(lián)電(UMC)等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。

臺(tái)積電進(jìn)軍18英寸晶圓技術(shù)領(lǐng)域還有另一個(gè)動(dòng)機(jī)——根據(jù)該公司資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)的說(shuō)法，一旦進(jìn)入18英寸晶圓時(shí)代，該公司所需的工程師人數(shù)也將減少；他在接受EETimes訪問(wèn)時(shí)表示，臺(tái)積電進(jìn)入18英寸晶圓制造約需十年的過(guò)渡期，屆時(shí)所需的工程師人數(shù)會(huì)比現(xiàn)在少7,000人。

蔣尚義指出，臺(tái)積電進(jìn)軍18英寸晶圓制造有兩個(gè)考量：首先，該公司認(rèn)為隨著時(shí)間推移，將越來(lái)越難招募到「好的工程師人才」；其次，臺(tái)積電最后僅需要少數(shù)幾座18英寸晶圓廠，就能在未來(lái)滿足客戶的需求。與12英寸晶圓廠相較，新一代晶圓尺寸整體生產(chǎn)力預(yù)計(jì)可增加1.8倍。晶圓廠變少，就不需要那么多工程師。

另一方面，臺(tái)積電也預(yù)期將增加研發(fā)與資本支出，特別是在該公司持續(xù)致力于縮短制程技術(shù)學(xué)習(xí)曲線。而估計(jì)18英寸晶圓廠營(yíng)運(yùn)成本約需100億美元，相關(guān)制程設(shè)備成本也將飆升。

蔣尚義表示，臺(tái)積電的18英寸晶圓制造將起始于20納米制程節(jié)點(diǎn)；該公司一開(kāi)始打算在新竹的Fab12晶圓廠建置一條18英寸晶圓試產(chǎn)線、采用20納米制程，時(shí)程大概在2013到2014年間。而屆時(shí)臺(tái)積電的12英寸晶圓廠也將進(jìn)入20納米制程；蔣尚義表示，該公司的20納米制程初產(chǎn)事實(shí)上也將以12英寸晶圓廠為主。

接下來(lái)，臺(tái)積電計(jì)劃在臺(tái)中建置首座18英寸晶圓廠，也就是Fab15，量產(chǎn)時(shí)程預(yù)定在2015到2016年之間。在起步階段，該18英寸晶圓廠會(huì)采用20納米制程，然后進(jìn)入14納米節(jié)點(diǎn)；而到14納米節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電打算在電晶體結(jié)構(gòu)上進(jìn)行轉(zhuǎn)換。

在20納米及以上節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電將繼續(xù)采用傳統(tǒng)以bulk CMOS為基礎(chǔ)的平面晶體管，但從14納米節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，該公司將由bulk CMOS轉(zhuǎn)向FinFET結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，未來(lái)臺(tái)積電將在Fab 15進(jìn)行14納米FinFET的量產(chǎn)。