該方案專門針對3X奈米記憶體與邏輯元件生產(chǎn)，據(jù)Qcept表示，目前主要訂單均來自兩家大型晶片制造商，顯示可支援高產(chǎn)量良率管理策略的NVD檢測重要性正日益提升。
其中一家客戶已采購多部ChemetriQ 5000系統(tǒng)，用于監(jiān)測3X奈米的記憶體與邏輯產(chǎn)品晶圓。第二家客戶則購買一部ChemetriQ 5000系統(tǒng)用于監(jiān)測3X奈米記憶體晶圓。這些系統(tǒng)將運用于客戶生產(chǎn)晶圓廠中的多種應用，其中包括凈后檢測、監(jiān)視反應式離子蝕刻制程(Reactive Ion Etch, RIE)、以及監(jiān)視濕凈制程。
在3X奈米與更小的設計節(jié)點方面，業(yè)界透過新的材料與元件結構，加上運用傳統(tǒng)的微影制程，可提升半導體元件的效能。業(yè)者采用這些新材料與結構時，需要極精準地控制晶圓的洗凈以及進行表面預處理(surface preparation)，因此這些制程對于元件良率的重要性也隨之升高。晶圓洗凈與表面預處理是晶圓廠中重復次數(shù)最多的步驟，每片晶圓須重復進行高達100次，因此有許多機會出現(xiàn)非最佳(sub-optimal)的洗凈制程，導致在這些先進的設計節(jié)點上會出現(xiàn)嚴重的良率損耗。
ChemetriQ 5000平臺能針對非最佳洗凈作業(yè)所造成的NVD，提供快速、全晶圓、NVD的在線檢測功能 — 如有機與無機的殘余物、金屬污染、以及制程引發(fā)的充電–這些因素都可能導致嚴重的良率損失，但若采用光學檢測系統(tǒng)則無法檢測出這些缺陷來源。此平臺采用一種創(chuàng)新的非破壞性技術來檢測晶圓表面上的功函數(shù)(work function)變化。更強化的偵測演算法加上更高的定位準確度，進一步提升ChemetriQ 5000的效能，不論晶圓是否已經(jīng)進行微影圖案化，都能偵測出各種非光學可視性缺陷。
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