臺積電18寸晶圓廠投資啟動 2015年20奈米量產

臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競爭力為主，公司也在年關過后宣布，啟動18寸晶圓廠投資計劃，預計于2013年導入試產線，2015年以20奈米開始量產。

由于先進制程客戶需求強勁，臺積電也指出，降低客戶成本，就可提高產品競爭力，相對的客戶下單量也會增加，進一步就鞏固了臺積電的市占率。因此，臺積電率先啟動18寸晶圓廠投資計劃，預料將以20奈米導入，制程技術將超越英特爾的22奈米，也成為繼英特爾之后，全球第2家投資18寸廠確定的半導體大廠。

此外，臺積電也和無線連接、定位與音訊平臺領導廠商CSR擴大合作關系，CSR已采用臺積電先進的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術、矽智財與射頻CMOS制程推出新一代的無線產品，比上一代0.18微米制程技術與矽智財快2倍，非常符合可攜式通訊、智慧卡，和高速微控制器等應用的需求。

臺積電全球業(yè)務暨行銷資深副總經理陳俊圣指出，此次與CSR的技術合作是臺積電促進歐洲邏輯IC創(chuàng)新承諾的例證，臺積的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術與矽智財支援高效能、低功耗和高密度記憶體，搭配本公司射頻CMOS制程，協助CSR推出新一代系統(tǒng)單晶片產品。

CSR營運執(zhí)行副總裁Chris Ladas強調，CSR和臺積電在這次90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術的密切合作，使得CSR維持領先開發(fā)彈性、整合度高的SoC平臺，為消費性電子音訊應用提供杰出的系統(tǒng)效能和最小尺寸的競爭優(yōu)勢。