增加GaAs技術(shù)　RFMD擴展晶圓代工服務(wù)

時間：2010-10-09 07:00:00

關(guān)鍵字： RFMD 晶圓代工 PHEMT SERVICES

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[導(dǎo)讀]RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術(shù)至RFMD的晶圓代工服務(wù)內(nèi)容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術(shù)。RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產(chǎn)品而最佳

RF Micro Devices, Inc. (RFMD)宣布該公司已增加其砷化鎵(GaAs)技術(shù)至RFMD的晶圓代工服務(wù)內(nèi)容，并開始為Foundry Services事業(yè)部的客戶提供全套的砷化鎵 pHEMT 技術(shù)。

RFMD將提供針對高功率、低噪聲和RF切換產(chǎn)品而最佳化的三種不同 GaAs pHEMT 技術(shù)。RFMD的0.3微米pHEMT技術(shù)可提供高功率，并針對 X-band 相位式數(shù)組功率放大器(PA)和8-16 GHz的寬帶軍事電子戰(zhàn)干擾器而最佳化。

RFMD的0.25微米 pHEMT 技術(shù)可提供低噪聲、中功率、高線性度，鎖定之應(yīng)用包括低噪聲前端和發(fā)射器 MMIC 。0.6微米 pHEMT 技術(shù)則提供低噪聲和射頻訊號高線性切換，是專為無線前端和發(fā)射/接收模塊應(yīng)用而設(shè)計。

RFMD目前提供Foundry Services的客戶北卡羅來納州格林斯博羅晶圓廠的兩項 RFMD的氮化鎵(GaN)制程技術(shù)，分別為鎖定高功率應(yīng)用的 GaN1 與鎖定高線性度應(yīng)用的 GaN2 。RFMD并提供一個整合式被動組件(IPC)技術(shù)最佳化來配合高功率應(yīng)用。RFMD的先進 GaAs pHEMT 技術(shù)與其氮化鎵技術(shù)，和其它電源半導(dǎo)體技術(shù)互補，以設(shè)計多芯片模塊(MCM)。

RFMD Foundry Services事業(yè)部的成立，旨在為外部晶圓代工客戶提供實時的高可靠性、高性能和具價格競爭力的制程制程技術(shù)。所有的制程技術(shù)都是由RFMD位于英國的Newton Aycliffe 廠制造，讓RFMD Foundry Services 客戶可透過簡易的歐洲進/出口管制，取得歐洲技術(shù)的方式。