高盛證呂東風(fēng)：臺(tái)積電ROE將受影響

全球晶圓（GlobalFoundries）將于2010至2014年期間積極擴(kuò)增產(chǎn)能，目標(biāo)設(shè)定2012與2014年12吋產(chǎn)能將分別成長(zhǎng)1與2倍，美商高盛證券半導(dǎo)體分析師呂東風(fēng)昨（13）日指出，此舉將使得晶圓代工廠商加快擴(kuò)產(chǎn)速度。以臺(tái)積電（2330）為例，內(nèi)部也已訂下2015年晶圓營(yíng)收將較目前成長(zhǎng)1倍的目標(biāo)，在此趨勢(shì)下，即便最后臺(tái)積電在這場(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)大戰(zhàn)中勝出，但 2004年以來(lái)23.4％的平均股東權(quán)益報(bào)酬率（ROE）恐將遭到嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
盡管巴克萊證券亞太區(qū)半導(dǎo)體研究部主管陸行之對(duì)全球晶圓擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作是否撼動(dòng)臺(tái)積電龍頭地位，持著懷疑態(tài)度，但全球晶圓在9月1日于美國(guó)所舉行的「科技日（Technology Day）中，依舊以擴(kuò)增產(chǎn)能題材來(lái)吸引國(guó)際資金目光。
呂東風(fēng)認(rèn)為，對(duì)于晶圓代工客戶(hù)而言，若全球晶圓能成為臺(tái)積電之外的另一選擇，是再好也不過(guò)的事。事實(shí)上，包括Qualcomm與Marvell都已在全球晶圓的新加坡與德勒斯登（Dresden）完成40奈米晶圓的定案（tape out）。
不過(guò)，國(guó)際機(jī)構(gòu)投資人對(duì)全球晶圓擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度顯然較感興趣，呂東風(fēng)指出，位于紐約12吋產(chǎn)能在2012年開(kāi)出后，全球晶圓的12吋產(chǎn)能將達(dá)單月19萬(wàn)片的水平，目前2010年臺(tái)積電與聯(lián)電則分別為21與7.7萬(wàn)片。屆時(shí)，全球晶圓的12吋產(chǎn)能市占率預(yù)估將達(dá)27％，僅低于臺(tái)積電的50％。
呂東風(fēng)指出，在這場(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)大戰(zhàn)中，「一哥」臺(tái)積電當(dāng)然不落人后，內(nèi)部在基于「28奈米高介電系數(shù)金屬閘極（HKMG）市占率將逾90％」、「40/65奈米市占率仍維持在高檔」、「日本國(guó)際整合組件大廠（IDM）與CPU擴(kuò)大委外代工」的考慮下，已訂定2015年晶圓營(yíng)收將成長(zhǎng)1倍。
根據(jù)呂東風(fēng)估算，臺(tái)積電若要達(dá)成2015年晶圓營(yíng)收成長(zhǎng)1倍的目標(biāo)，等于總產(chǎn)能必須增加75％。也就是說(shuō)，2011至2015年預(yù)估每年須投入60億美元資本支出，比2010年的58億美元還高，方能在這次擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽中占上風(fēng)。
呂東風(fēng)認(rèn)為，臺(tái)積電與全球晶圓競(jìng)相擴(kuò)產(chǎn)的結(jié)果可能會(huì)有兩個(gè)：一是全球晶圓在28奈米HKMG成功量產(chǎn)，代表價(jià)格戰(zhàn)將一觸即發(fā)，包括臺(tái)積電等晶圓代工族群投資價(jià)值將面臨大幅下修（deep de-rating）壓力；二、假設(shè)全球晶圓失算，臺(tái)積電為了搶市占率，也會(huì)犧牲ROE。
呂東風(fēng)認(rèn)為，臺(tái)積電2004年以來(lái)的23.4％平均ROE恐面臨挑戰(zhàn)，由于晶圓代工族群股價(jià)與資本支出╱營(yíng)收（capex╱sales）系數(shù)連動(dòng)性高，相信2011與2012年也不例外。