[導(dǎo)讀]隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇,原本財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)岌岌可危的DRAM廠營運(yùn)開始轉(zhuǎn)佳,因此積極投入技術(shù)制程微縮的工作,但面臨最大問題除了募資之外,還有ASML的浸潤式曝光機(jī)臺(Immersion Scanner)大缺貨,交期甚至長達(dá)12個(gè)月,目前
隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇,原本財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)岌岌可危的DRAM廠營運(yùn)開始轉(zhuǎn)佳,因此積極投入技術(shù)制程微縮的工作,但面臨最大問題除了募資之外,還有ASML的浸潤式曝光機(jī)臺(Immersion Scanner)大缺貨,交期甚至長達(dá)12個(gè)月,目前尚無明顯紓解,使得較晚下單的臺系DRAM廠都面臨沒有機(jī)臺轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米或40奈米的情況,被迫延后制程微縮的進(jìn)度。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制程微縮進(jìn)度往50奈米以下發(fā)展后,都開始要使用浸潤式曝光機(jī)臺,臺積電、三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)由于財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)齊全,因此早已預(yù)定機(jī)臺,2010年的制程微縮進(jìn)度并未被機(jī)臺設(shè)備的進(jìn)度連累到。
但對于臺系DRAM廠而言,之前才剛從金融風(fēng)暴中脫身,手上資金有限,面對1臺價(jià)格高達(dá)新臺幣10億~20億元的浸潤式曝光機(jī)臺機(jī)臺,財(cái)務(wù)負(fù)擔(dān)相當(dāng)吃力,且平均1臺浸潤式曝光機(jī)臺約只能生產(chǎn)1萬~1.5萬片的產(chǎn)能,假設(shè)1座晶圓廠單月產(chǎn)能10萬片,就要購買將近10臺的浸潤式曝光機(jī)臺才能應(yīng)付,花費(fèi)可能上百億元。
隨著DRAM價(jià)格上升,各家廠商都開始有現(xiàn)金流入,2010年臺系DRAM廠都是藉由現(xiàn)金流入累積資金,另一方面則是積極籌資來負(fù)擔(dān)采購浸潤式曝光機(jī)臺的費(fèi)用,但2010年下訂金來預(yù)約機(jī)臺,交! 期可能要長達(dá)近12個(gè)月,也間接阻礙臺廠的制程進(jìn)度演進(jìn)。
其中,ASML最新款的浸潤式曝光機(jī)臺是NXT:1950i,由于交期較長,因此部分臺廠也轉(zhuǎn)向采購舊機(jī)種XT:1950i,兩者的差別是,XT:1950i機(jī)種可能用到40奈米制程就是極限,而新款的NXT:1950i可往下做到30奈米制程世代,但相對而言,機(jī)臺設(shè)備的費(fèi)用也較高。
為因應(yīng)采購浸潤式曝光機(jī)臺的資金,2010年募資最積極的是臺塑集團(tuán)旗下的南亞科和華亞科,兩家公司2010年分別3度上修資本支出計(jì)劃,其中南亞科2010年資本支出達(dá)新臺幣300億元,華亞科的資本支出則高達(dá)580億元,兩家合計(jì)資本支出高達(dá)880億元,位居臺系內(nèi)存廠之冠。
爾必達(dá)陣營中的力晶、瑞晶和茂德,由于浸潤式曝光機(jī)臺到貨時(shí)= 較晚,但也有策略因應(yīng),就是從現(xiàn)有的65奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)63奈米制程,中間幾乎不需再多花費(fèi)資本支出,就可降低20%成本,其成本結(jié)構(gòu)與50奈米制程不會差太多,唯一的缺點(diǎn)是63奈米制程不能生產(chǎn)2Gb芯片,只能生產(chǎn)1Gb芯片。
因此兩陣營的策略是各有優(yōu)缺點(diǎn),實(shí)際上應(yīng)該說是各自因應(yīng)自己的財(cái)務(wù)實(shí)力,而選擇不同的方向進(jìn)行,南亞科和華亞科因?yàn)橛信_塑集團(tuán)支持,募資較容易,因此全力采購浸潤式曝光機(jī)臺1次將50奈米制程做到位。
爾必達(dá)由于資金較為缺乏,因此先以63奈米制程應(yīng)戰(zhàn),未來等浸潤式曝光機(jī)臺到位后,力晶、瑞晶、茂德等再轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程,其中瑞晶轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程的進(jìn)度會最快,日前已正式試產(chǎn)成功。
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數(shù)字化
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12nm
手機(jī)
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VI
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華為
12nm
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半導(dǎo)體
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SE
TRACE
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IO
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TE
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華為
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EDA
半導(dǎo)體