ATMI與Ovonyx合作取得CVD制程PCM技術突破

時間：2010-09-08 06:24:00

關鍵字： ATM PCM OV 內存

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[導讀]ATMI和 Ovonyx 兩家公司日前宣布，雙方在采用化學氣相沉積(CVD)制程商業(yè)化生產基于鍺銻碲化物(Germanium Antimony Telluride，GST)的相變化內存(PCM)方面取得突破性進展。兩家企業(yè)正在合作開發(fā)的項目獲得重大進步

ATMI和 Ovonyx 兩家公司日前宣布，雙方在采用化學氣相沉積(CVD)制程商業(yè)化生產基于鍺銻碲化物(Germanium Antimony Telluride，GST)的相變化內存(PCM)方面取得突破性進展。
兩家企業(yè)正在合作開發(fā)的項目獲得重大進步，該采用化學氣相沉積技術生產的、基于鍺銻碲化物的相變化內存，不僅能夠實現(xiàn)制程微縮，而且是一種具有成本競爭力的內存技術。由于具有獨特的性能，相變化內存是內存體系中的新生代產品，且是NOR型閃存的替代性產品；相變化內存還能取代相當大部分先進制程節(jié)點的DRAM。
此項研究在高長寬比的相變化內存單元中實現(xiàn)了均勻沉積，與組件結構可對比的、采用濺鍍沉積(sputter-deposited)技術之GST 225相比，顯示出了良好的電學特性。結果包括各種CVD合金的沉積，設定速度低于50奈秒(ns)，典型耐受時間為108~1010個周期，100°C以上的信息保存時間為10年。
「基于鍺銻碲化物的相變化內存仍具備顯著的商業(yè)化潛力，是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性內存技術?！笰TMI執(zhí)行副總裁與微電子事業(yè)部總經理Tod Higinbotham表示：「但在實現(xiàn)更快速微縮制程的過程中面臨的挑戰(zhàn)之一，便是缺乏能夠生產可進一步調低復位電流(reset current)的完全密閉單元。降低復位電流可降低內存的耗電量，延長電池壽命和提高資料帶寬，這對于當前以數(shù)據(jù)為中心的、高度可攜式的消費性電子設備來說都是很重要的功能?！?br>兩家公司計劃向半導體產業(yè)授權這些技術，ATMI將提供相關的前驅體材料(precursor materials)和沈積技術，進一步推動和促進PCM高性能內存的商業(yè)化，并將于2010年第四季展示12吋晶圓CVD GST技術。