晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)制程利用率逼近百分百

時(shí)間：2010-08-20 06:23:00

關(guān)鍵字：晶圓廠先進(jìn)制程晶圓代工節(jié)點(diǎn)

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[導(dǎo)讀]根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織(Semiconductor International Capacity Statistics，SICAS)的報(bào)告，全球大多數(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)芯片制造產(chǎn)能利用率，在2010年第二季達(dá)到接近百分之百；這意味著盡管晶圓代工廠在第二季擴(kuò)增

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)組織(Semiconductor International Capacity Statistics，SICAS)的報(bào)告，全球大多數(shù)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)芯片制造產(chǎn)能利用率，在2010年第二季達(dá)到接近百分之百；這意味著盡管晶圓代工廠在第二季擴(kuò)增了不少產(chǎn)能，整體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能水平仍幾乎維持不變。

從全球半導(dǎo)體廠商收集生產(chǎn)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)的SICAS表示，全球晶圓廠產(chǎn)能利用率在2010年第二季達(dá)到95.6%，該數(shù)字在上一季則為93.5%；當(dāng)季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體產(chǎn)能為每周212.6萬(wàn)片8吋約當(dāng)初始晶圓(wafer starts)，較前一季成長(zhǎng)0.9，但較2009年同期減少了0.2%。

以制程節(jié)點(diǎn)來(lái)看，較舊的100奈米以上 8吋晶圓制程，產(chǎn)能利用率也上升至接近九成；100奈米以下的12吋晶圓先進(jìn)CMOS制程，產(chǎn)能利用率在95%~98%之間；至于 90奈米、65奈米與次60奈米節(jié)點(diǎn)制程，產(chǎn)能利用率則分別為94.6%、98.8%與98.6%。

以上的高產(chǎn)能利用率數(shù)字，是在第二季全球晶圓代工廠大幅擴(kuò)增產(chǎn)能的情況下統(tǒng)計(jì)出來(lái)的；據(jù)統(tǒng)計(jì)，當(dāng)季晶圓代工制造產(chǎn)能達(dá)到每周40.7萬(wàn)片初始晶圓，較上一季成長(zhǎng)了5.9%，較去年同期間甚至成長(zhǎng)了41.2%之多。

第二季初始晶圓數(shù)量較上一季成長(zhǎng)了10.6%，較09年第二季成長(zhǎng)67.8%；同時(shí)間晶圓代工廠的整體產(chǎn)能利用率則達(dá)到98.8%。在一年前同期，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率為83.1%，更前一季甚至還只有50.1%。

整體 12吋晶圓產(chǎn)能利用率則在第二季達(dá)到98.4%的水平，該數(shù)字在第一季為96.9%；而整體制造產(chǎn)能實(shí)際是呈現(xiàn)連續(xù)成長(zhǎng)的趨勢(shì)。分析師預(yù)期，全球IC制造產(chǎn)能利用率在今年內(nèi)將持續(xù)成長(zhǎng)，并由第二季的95.6%，在第四季成長(zhǎng)到96%。

(參考原文： Manufacturing capacity utilization hits 95.6%，by Peter Clarke)