佳能MJ將在日本銷售MEMS犧牲層用干蝕刻機(jī),Point 35公司制造

日本佳能營(yíng)銷（佳能MJ）將從7月28日開始在日本銷售在MEMS制造工序中形成立體構(gòu)造時(shí)所需的犧牲層去除用枚葉式干蝕刻裝置“memsstar”。該裝置由英國(guó)Point 35 Microstructures公司制造，目前佳能MJ已與Point 35簽訂了在日本的銷售合同。

在實(shí)現(xiàn)MEMS的立體構(gòu)造時(shí)需要犧牲層。比如，通過(guò)在犧牲層上進(jìn)行目標(biāo)材料的成膜和蝕刻處理，去除犧牲層，便可實(shí)現(xiàn)立體構(gòu)造。用于去除犧牲層的蝕刻處理以往普遍采用通過(guò)化學(xué)藥劑進(jìn)行蝕刻的濕蝕刻方式。但是，隨著MEMS向微細(xì)化和高集成化發(fā)展，出現(xiàn)了在濕蝕刻及其之后的干燥工序中立體構(gòu)造的圖案貼在一起的問(wèn)題。為了解決這一問(wèn)題，業(yè)界開始了向借助與氣體之間的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除犧牲層的干蝕刻過(guò)渡。

佳能MJ在日本銷售的memsstar采用該干蝕刻方式，并導(dǎo)入了逐片處理晶圓的枚葉方式，以及可連續(xù)進(jìn)行犧牲層的去除和立體構(gòu)造的表面涂裝處理的功能，提高了產(chǎn)生效率及工藝性能。比如在生產(chǎn)效率方面，“與原來(lái)的干蝕刻裝置相比，有時(shí)可實(shí)現(xiàn)數(shù)倍的蝕刻速度”（佳能MJ）。另外，由于采用了枚葉方式，因此處理工藝的靈活性出色，處理時(shí)間也很短。

在裝置的構(gòu)成上，具備可分別處理氧化膜類和硅（Si）類兩類犧牲層的兩個(gè)蝕刻腔室，以及用于使形成的立體結(jié)構(gòu)表面具有斥水性和疎水性的涂裝處理的腔室，上述合計(jì)共3個(gè)腔室。蝕刻腔室和涂裝腔室可通過(guò)搬運(yùn)模塊連接，能夠在不暴露于外部空氣的情況下連續(xù)進(jìn)行蝕雕和涂裝處理。

memsstar的價(jià)格為5000萬(wàn)日元～1億5000萬(wàn)日元（不含稅，價(jià)格因裝置配置而異）。佳能MJ以往在MEMS制造裝置方面主要銷售硅深蝕刻裝置。佳能MJ表示，將通過(guò)在以往銷售的裝置中追加此次的犧牲膜蝕刻裝置，為用戶提供更廣泛的MEMS解決方案。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）