臺(tái)積電舉行會(huì)前說(shuō)明會(huì)，介紹28nm工藝的開發(fā)狀況等

臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）7月1日面向新聞媒體進(jìn)行了“TSMC 2010 Japan TechnologySymposium”(7月2日舉辦)的會(huì)前說(shuō)明會(huì)，臺(tái)積電研發(fā)副總裁兼首席技術(shù)官JackSun和臺(tái)積電日本代表董事社長(zhǎng)小野寺誠(chéng)，在說(shuō)明會(huì)上介紹了技術(shù)開發(fā)狀況和業(yè)務(wù)狀況。其中，JackSun介紹的技術(shù)開發(fā)狀況與該公司在2010年2月24日舉行的“TSMC 2010 Executive Forum on LeadingEdge Technology”的內(nèi)容相比沒(méi)有太大變化。不過(guò)，關(guān)于20nm曝光技術(shù)方面，Jack Sun表示“EUV（extreme ultraviolet）曝光和多電子束直寫（MEBDW）都可以，我們需要可以滿足成本和處理能力要求的技術(shù)”，由此可以看出臺(tái)積電強(qiáng)烈期待曝光技術(shù)能較現(xiàn)狀取得大的進(jìn)展。

關(guān)于工藝技術(shù)的開發(fā)狀況方面，已經(jīng)開始試驗(yàn)性生產(chǎn)采用SiON柵極絕緣膜的28nm低功耗版工藝（28LP）。關(guān)于采用HKMG（組合使用高介電率柵極絕緣膜和金屬柵極）的三項(xiàng)工藝（28HP，28HPL，28HPM）方面，正在推進(jìn)試驗(yàn)性生產(chǎn)的準(zhǔn)備工作。28HP、28HPL以及28HPM分別預(yù)定在2010年第四季度、2011年第一季度以及2011年第四季度開始驗(yàn)性生產(chǎn)。另外，20nm工藝也正在進(jìn)行開發(fā)，目的是在2012年第四季度開始生產(chǎn)高性能版的“20G”，在2013年第二季度開始生產(chǎn)低功耗版的“20SoC”。

在曝光技術(shù)方面，臺(tái)積電展示了同時(shí)記載有20nm工藝用MEBDW（用于接觸孔和通孔，處理能力為100張/小時(shí)）、EUV曝光（開口數(shù)（NA）為0.25）以及組合使用超解像技術(shù)和布局技術(shù)的ArF液浸曝光（NA1.35）的三種技術(shù)的圖案。其中，在MEBDW和EUV曝光方面展示了最新成果。例如，在MEBDW方面展示了采用光束為110、加速電壓為5KeV的Preα機(jī)，對(duì)半間距為30nm的接觸孔進(jìn)行曝光的成果，今后為了實(shí)現(xiàn)10張/小時(shí)和100張/小時(shí)的處理能力，計(jì)劃擴(kuò)展到1萬(wàn)3000光束并推進(jìn)實(shí)現(xiàn)集群工具（Cluster Tool）化，以支持20nm和14nm。

另外在EUV方面，臺(tái)積電展示了對(duì)20nm的第一層金屬布線和14nm的接觸層進(jìn)行EUV曝光的成果，同時(shí)還表示預(yù)定在2011年早些時(shí)候?qū)搿癗XE：3100”。不過(guò)，JackSun指出，“課題均是成本和處理能力”。對(duì)于記者提出的“從目前來(lái)看，您認(rèn)為哪一種技術(shù)更有前途”這一問(wèn)題，JackSun未作出明確回答，讓人覺(jué)得他對(duì)上述的技術(shù)都還很不滿意。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）