聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對(duì)銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對(duì)3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作，未來也將開發(fā)DRAM及邏輯芯片之3D堆棧芯片技術(shù)，爭(zhēng)取手機(jī)、高性能家電、游戲機(jī)等整合型單芯片市場(chǎng)商機(jī)。

聯(lián)電與爾必達(dá)在2007年底已在低介電銅制程上合作，聯(lián)電授權(quán)爾必達(dá)使用其低介電銅導(dǎo)線制程技術(shù)，以應(yīng)用在爾必達(dá)的DRAM產(chǎn)品制程上，爾必達(dá)則是許可聯(lián)電將爾必達(dá)的DRAM技術(shù)應(yīng)用在嵌入式DRAM制程上。同時(shí)，聯(lián)電與爾必達(dá)也針對(duì)相位變化隨機(jī)存取內(nèi)存（PRAM）進(jìn)行合作，結(jié)合爾必達(dá)在硫族化合物（GST）材料的專業(yè)硅智財(cái)，與聯(lián)電在互補(bǔ)金屬氧化（CMOS）邏輯制程進(jìn)行整合。

聯(lián)電于2008年再度與爾必達(dá)延伸合作內(nèi)容至晶圓代工領(lǐng)域，爾必達(dá)將提供其位于日本廣島的12吋廠產(chǎn)能，聯(lián)電則提供硅智財(cái)（IP）及銅制程技術(shù)，鎖定爭(zhēng)取日本IDM廠委外代工訂單。

而隨著聯(lián)電在去年將聯(lián)日半導(dǎo)體（UMCJ）納入成為百分之百持股子公司，爾必達(dá)的12吋廠產(chǎn)能若得以靈活運(yùn)用，聯(lián)電將可順勢(shì)進(jìn)入日本特殊應(yīng)用芯片（ASIC）代工市場(chǎng)。

然隨著整合型單芯片的市場(chǎng)應(yīng)用趨于成熟，爾必達(dá)于去年宣布成功開發(fā)出以Cu-TSV技術(shù)生產(chǎn)的8Gb DDR3，但為了將Cu-TSV技術(shù)應(yīng)用到邏輯芯片產(chǎn)品線，或是應(yīng)用到整合內(nèi)存及邏輯芯片的整合型單芯片市場(chǎng)，于是聯(lián)電、爾必達(dá)不僅決定再度合作，還找上了在TSV市場(chǎng)已有初步研發(fā)成果的力成，3家公司共同合作搶進(jìn)日益重要的Cu-TSV等3D芯片市場(chǎng)。

相較于聯(lián)電結(jié)合了爾必達(dá)及力成的DRAM制造及封測(cè)資源，共同開發(fā)TSV技術(shù)，臺(tái)積電與轉(zhuǎn)投資封測(cè)廠采鈺、精材間，已經(jīng)藉由先進(jìn)光學(xué)封裝技術(shù)布局3D芯片，并開始量產(chǎn)部分制程采用TSV技術(shù)的CMOS影像傳感器，同時(shí)也在其開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）中，提供客戶有關(guān)TSV相關(guān)的晶圓制造及封測(cè)等制程。