聯(lián)電：3D IC會全面擴及各應(yīng)用 拼完整解決方案

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)執(zhí)行長孫世偉于今(21)日表示，聯(lián)電將以自身在先進邏輯制程上的技術(shù)優(yōu)勢，與日商Elpida、力成(6239)等兩大業(yè)者在3D IC領(lǐng)域上進行廣泛的技術(shù)合作，且預(yù)計會以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿孔)制程開發(fā)為核心，共同開發(fā)Logic+DRAM的3D IC完整解決方案。孫世偉也預(yù)期，強調(diào)多芯片堆棧又能符合耗電、成本與效能導(dǎo)入需求規(guī)范的3D IC，未來將會成為全面性的應(yīng)用技術(shù)，陸續(xù)深入包括手機與PC等主流相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。

聯(lián)電副總經(jīng)理暨先進技術(shù)開發(fā)處處長簡山杰表示，根據(jù)這次公司與日商Elpida、力成的三方規(guī)劃，未來3D IC相關(guān)技術(shù)研發(fā)初期都會在日本進行，且隨著CMOS制程微縮帶來的技術(shù)與成本上的挑戰(zhàn)，采用TSV制程技術(shù)的3D IC架構(gòu)便成為摩爾定律之外的另一個新選擇；同時初步預(yù)期明年中時就會完成相關(guān)產(chǎn)品的試做，惟實際投產(chǎn)情況，以目前生產(chǎn)成熟度與客戶接受度等觀點來觀察，預(yù)期3D IC在2012年時即有機會導(dǎo)入量化生產(chǎn)。

孫世偉則指出，盡管距離3D IC產(chǎn)品量產(chǎn)還有一段時間，惟預(yù)期藉此一合作而掌握TSV制程技術(shù)的聯(lián)電，也可望在晶圓前段生產(chǎn)過程中得到更多新的商業(yè)合作機會，同時Elpida亦會參與相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計開發(fā)；同時三方在3D IC領(lǐng)域的合作，仍將專注于產(chǎn)品與制程技術(shù)開發(fā)的綜效上，因此盡管這次基于該項完整解決方案對客戶端的推廣，而由聯(lián)電方面出面主導(dǎo)發(fā)布，惟未來究竟會由誰執(zhí)行量產(chǎn)，目前也還尚未討論。

此外，簡山杰也指出，在將TSV技術(shù)整合DRAM與邏輯技術(shù)后，預(yù)計其提供的效能已可滿足各項可攜式電子產(chǎn)品3C功能持續(xù)整合的發(fā)展趨勢，而這項合作亦能促進完整解決方案的開發(fā)，其中，包括Logic+DRAM接口設(shè)計、TSV結(jié)構(gòu)、晶圓薄化、測試與芯片堆棧組裝等，換言之，這項技術(shù)將可增加成本競爭優(yōu)勢，改善邏輯良率效應(yīng)，并加快3D IC市場的發(fā)展進程。

然而，由于需要3D IC TSV解決方案來生產(chǎn)次世代產(chǎn)品的客戶，正面臨包括標準化、供應(yīng)鏈基礎(chǔ)架構(gòu)、設(shè)計解決方案、封裝測試整合以及成本問題等多項挑戰(zhàn)。因此，聯(lián)電指出，公司身為3D IC整合解決方案的晶圓制造廠，也冀望藉由這次三方合作能針對各種不同應(yīng)用產(chǎn)品，共同為客戶的3D IC設(shè)計開發(fā)一個完整的TSV整合解決方案，并支持采用其他TSV方法的客戶，透過與現(xiàn)有封裝伙伴合作發(fā)展出適切的解決方案，以滿足下游客戶的需求。

除正式積極展開布局的3D IC TSV完整解決方案外，在其他先進制程進度上，聯(lián)電在去年10月成功產(chǎn)出40奈米制程高效能產(chǎn)品后，在28奈米制程方面也頗有斬獲；該公司即預(yù)期包括后閘極(gate-last)高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)研發(fā)等，均預(yù)計在今年底前即可準備就緒，并進行客戶硅智財(IP)驗證。