諾發(fā)系統(tǒng)發(fā)表3-D半導(dǎo)體整合之銅硅穿孔(TSV) 共同研發(fā)項目

(中央社訊息服務(wù)20100401 14:49:11)諾發(fā)系統(tǒng)日前宣布與IBM成立共同研究項目，將利用諾發(fā)之電鍍銅SABRE與電漿輔助化學(xué)氣相沉積VECTOR系統(tǒng)，設(shè)計出可制造3- D半導(dǎo)體銅硅穿孔(TSV)之制程，該新制程將可應(yīng)用于小體積與低耗電的3-D整合產(chǎn)品。

使用TSV技術(shù)將半導(dǎo)體工業(yè)推往3-D整合是一股強烈的趨勢，將多種組件堆棧成類似三明治結(jié)構(gòu)與用銅孔連接所有導(dǎo)電層，此技術(shù)增加了電路密度并使最終組件變小，透過每個組件間較短的連接長度，進而增加組件速度與較低的電力消耗，堆棧的結(jié)構(gòu)也允許多種特定功能組件的組合，包含利用非同構(gòu)型的整合，以符合現(xiàn)今不斷縮小之電子產(chǎn)品的需求，如手機、PDA及筆記本電腦，然而，對于整合TSV到半導(dǎo)體制程，以至于新結(jié)構(gòu)需同時俱有高可靠度與低制造成本上，仍面臨數(shù)個重要挑戰(zhàn)。其一是于極深的高長寬比結(jié)構(gòu)之無洞填充時，降低過多的銅沉積或承載，承載厚度會隨著TSV的形態(tài)而改變；另一個挑戰(zhàn)則需要低溫沉積介電薄膜的能力，如此一來，在TSV的制造流程中，芯片上熱預(yù)算才不至于超過標(biāo)準(zhǔn)。

諾發(fā)系統(tǒng)已發(fā)展出一套特殊高效的SABRE Electrofill@ TSV 制程，該制程使用享有專利權(quán)的設(shè)備，以及電鍍液達到最低過量銅之無洞填充，過多銅可降低75%，容許使用傳統(tǒng)的化學(xué)機械硏磨(CMP)代替客制研膜泥漿，此外，SABRE的優(yōu)化TSV電鍍液提供較短的電鍍，因而能有較高的生產(chǎn)率。為了解決低溫介電膜的需求，諾發(fā)系統(tǒng)的VECTOR平臺搭配著獨創(chuàng)的多站連續(xù)沉積結(jié)構(gòu)(MSSD)，使得具有穩(wěn)定且高良率的TSV制程，在崩潰電壓、漏電行為及芯片間的再現(xiàn)能力，與200度以下介電膜沉積的要求上成為可能。 SABRE與VECTOR的應(yīng)用簡化了TSV的制造流程，并開創(chuàng)了低成本、高效能3-D集成電路的廣范應(yīng)用，諾發(fā)系統(tǒng)與IBM將一起合作評估與研發(fā)制程應(yīng)用于IBM的3-D整合項目。

IBM半導(dǎo)體研究與研發(fā)中心的最杰出工程技術(shù)人員Subramanian Iyer博士表示：「早在1990年代中期，從雙方研發(fā)最初大量生產(chǎn)的機型開始，諾發(fā)系統(tǒng)與IBM在后段銅制程已有長久的合作關(guān)系，我們將利用諾發(fā)系統(tǒng)在電鍍銅與介電沉積技術(shù)的核心競爭力，期待雙方的再次合作」。

諾發(fā)系統(tǒng)營銷與客服部執(zhí)行副總Tim Archer說：「諾發(fā)系統(tǒng)非常興奮能與IBM合作研發(fā)突破性制程技術(shù)。我們的SABRE系統(tǒng)提供卓越、有成本效益的填銅技術(shù)于硅穿孔應(yīng)用，同樣的，我們的VECTOR系統(tǒng)中的MSSD構(gòu)造，也使得在溫度200度以下穩(wěn)定介電膜沉積成為可能，這亦成為這些新3-D應(yīng)用里的特別需求」。


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諾發(fā)系統(tǒng)是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中領(lǐng)先的先進制程工藝設(shè)備供應(yīng)者。該公司產(chǎn)品支持的創(chuàng)新技術(shù)及提供信賴生產(chǎn)力為客戶創(chuàng)造價值。是標(biāo)準(zhǔn)普爾 500 (S&P 500)強公司之一，諾發(fā)系統(tǒng)的總部設(shè)在加州圣荷西，其附屬辦事處遍布全球。欲了解更多信息，請瀏覽www.novellus.com。

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