GF、ARM共同定義行動技術平臺新標準

時間：2010-02-25 06:53:00

關鍵字： ARM GLOBALFOUNDRIES IP SoC

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[導讀]GLOBALFOUNDRIES與ARM日前于2010 MWC中，公布針對新一代無線產品及應用開發(fā)的尖端系統(tǒng)單芯片(SoC)平臺全新細節(jié)數據。全新的芯片生產制造平臺預估將提升40%運算效能、減低30%功耗，并在待機狀態(tài)下增加100%的電池使

GLOBALFOUNDRIES與ARM日前于2010 MWC中，公布針對新一代無線產品及應用開發(fā)的尖端系統(tǒng)單芯片(SoC)平臺全新細節(jié)數據。全新的芯片生產制造平臺預估將提升40%運算效能、減低30%功耗，并在待機狀態(tài)下增加100%的電池使用壽命。
此全新平臺包括兩種不同的GLOBALFOUNDRIES制程整合：行動及消費性應用適用的28奈米超低功耗(SLP)制程，及針對需要最高效能的應用開發(fā)的28奈米高效能(HP)制程。

ARM與GLOBALFOUNDRIES的SoC平臺采用ARM Cortex-A9處理器、優(yōu)化ARM實體IP及GLOBALFOUNDRIES的28奈米閘極優(yōu)先高介電質金屬閘極(gate-first HKMG)制程。此外，ARM及GLOBALFOUNDRIES將使智能型手機、smartbook、平板計算機等嵌入式裝置的制造商有能力因應日益復雜的設計及生產制造過程，并縮短成熟量產的時間。GLOBALFOUNDRIES預估將于2010下半年于德國Dresden開始進行新一代技術的生產制造。

由于智能型行動產品市場加速成長，業(yè)界對行動應用產品效能的需求不斷提升，以持續(xù)刺激市場創(chuàng)新。相較于前一代40/45奈米技術，GLOBALFOUNDRIES采用閘極優(yōu)先高介電質金屬閘極(gate-first HKMG)技術的28奈米制程可達更顯著的效能提升。

目前預估采用HKMG的28奈米技術在相同熱度范圍將提升40%的效能，以強化行動裝置的應用效能及多任務處理能力。GLOBALFOUNDRIES目前可將此一技術迅速推出上市，提供客戶受廣泛采用的閘極優(yōu)先HKMG技術。閘極優(yōu)先技術獲得多家全球大規(guī)模IDM廠及無晶圓廠設計公司的廣泛支持。

各項新技術都需要提升功耗表現，以提供長時間通話/待機、多媒體播放及交互式游戲與繪圖等功能。ARM IP與GLOBALFOUNDRIES 28奈米HKMG制程的結合，將可提供較40/45奈米降低30%功耗的效能，并提升100%待機電池壽命。

ARM總裁Tudor Brown表示：「改采28奈米技術對無線技術而言是一重要轉折點。ARM與GLOBALFOUNDRIES的合作將可提供客戶大量實作的28奈米HKMG技術，以迅速推出高效能、低功耗的ARM架構設計產品。GLOBALFOUNDRIES技術、ARM領先業(yè)界的實體IP解決方案與ARM處理器提供之完整因特網功能的整合，將可展現強大的處理、繪圖及功耗整合成果?！?br>
除了與GLOBALFOUNDRIES合作外，ARM也與IBM Joint Development Alliance的其他成員建立策略合作關系，以開發(fā)采用HKMG制程的優(yōu)化處理器及實體IP。ARM于MWC展出采用HKMG技術開發(fā)的首款28奈米晶圓，以展現與晶圓廠合作伙伴進行前期合作，加速改采新一代SoCs進階節(jié)點設計(node design)的優(yōu)勢。