臺積電跨入EUV微影技術(shù)領(lǐng)域

臺積電（2330）與微影設(shè)備大廠荷商艾司摩爾（ASML）昨（22）日共同宣布，臺積電將取得ASML的TWINSCAN NXE：3100極紫外光（Extreme Ultra-Violet，EUV）微影設(shè)備。這是臺積電在布局多重電子束的無光罩（maskless）、雙重曝影（double patterning）浸潤式等微影技術(shù)之外，首度宣示將跨入極紫外光微影技術(shù)領(lǐng)域。

臺積電在目前量產(chǎn)中的40奈米，及年底即將進(jìn)行風(fēng)險試產(chǎn)的28奈米，均采用雙重曝影的浸潤式微影技術(shù)，但現(xiàn)階段投入研發(fā)的22奈米，過去一年來鎖定的微影技術(shù)，較傾向采用多重電子束的無光罩技術(shù)，對于由ASML主導(dǎo)的EUV技術(shù)較少著墨。不過，由于三星、東芝、海力士等業(yè)者，已成功利用EUV發(fā)展30奈米及20奈米世代的內(nèi)存微影技術(shù)，臺積電昨日宣布，開始跨入EUV微影技術(shù)的研發(fā)。

臺積電及ASML昨日宣布，臺積電將取得ASML的EUV微影設(shè)備，并安裝在竹科12吋廠Fab12這座超大晶圓廠（GigaFab）中，用以發(fā)展新世代的制程技術(shù)。臺積電也將成為全球第一個可在自有晶圓廠發(fā)展EUV微影技術(shù)的晶圓代工廠。

臺積電指出，相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193奈米波長當(dāng)作光源，EUV微影技術(shù)導(dǎo)入更短波長的光源，將有機(jī)會降低生產(chǎn)成本，而成為集成電路制造更先進(jìn)技術(shù)世代一個有潛力的選擇。臺積電目前正在對EUV及其他微影技術(shù)的最佳成本效益的潛力進(jìn)行評估。

臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義表示，臺積電利用ASML的TWINSCAN NXE：3100設(shè)備，進(jìn)行更先進(jìn)世代制程技術(shù)的研發(fā)。EUV微影技術(shù)是臺積電正在研究的次世代微影技術(shù)之一，而導(dǎo)入此項設(shè)備，不但切合臺積電保持先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)先的目標(biāo)，更強(qiáng)化了臺積電不斷投資于歐洲半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新的一貫承諾。

由于EUV設(shè)備仍然十分昂貴，相對應(yīng)的光罩投資金額也十分驚人，22奈米世代的研發(fā)投資幾乎是上一世代28奈米的一倍，所以連芯片龍頭大廠英特爾，至今對于EUV導(dǎo)入量產(chǎn)仍持保留態(tài)度。不過，一旦全球主要微影設(shè)備廠開始將EUV視為未來重點(diǎn)發(fā)展方向，EUV仍有機(jī)會在22奈米及更次世代的15奈米，成為微影技術(shù)的重要解決方案。