進攻先進制程臺積電首采ASML超紫外光微影設(shè)備

時間：2010-02-22 18:37:00

關(guān)鍵字： ASML 臺積電紫外光先進制程

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[導(dǎo)讀]全球晶圓代工霸主臺積電(TSM-US；2330-TW)虎年持續(xù)躍進，今(22)日與荷蘭艾司摩爾(ASML；ASML-US)共同宣布，臺積電將取得ASML公司的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，將安裝于臺積電

全球晶圓代工霸主臺積電(TSM-US；2330-TW)虎年持續(xù)躍進，今(22)日與荷蘭艾司摩爾(ASML；ASML-US)共同宣布，臺積電將取得ASML公司的TWINSCAN NXE:3100超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，將安裝于臺積電的超大晶圓廠12廠，用以發(fā)展新世代制程技術(shù)，有機會降低生產(chǎn)成本。臺積電今日股價開盤大漲逾2%，一度回到60元之上。

ASML為歐洲半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)龍頭，除了臺積電，聯(lián)電(2303-TW)、GlobalFoundries和特許半導(dǎo)體(Chartered)也是 ASML的客戶。此外，記憶體大廠三星(Samsung；005930-KR)、海力士(Hynix；000660-KR)、爾必達 (Elpida；6665-JP)、美光(Micron；MU-US)和南科(2408-TW)等都采用其設(shè)備。目前全球共6家取得ASML超紫外光微影設(shè)備，臺積電為其中之一。

臺積電指出，ASML的超紫外光微影設(shè)備，將安裝于臺積電的超大晶圓廠(GigaFab)－臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的制程技術(shù)，而臺積電將成為全球第一個可在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)積體電路制造服務(wù)業(yè)者。

臺積電進一步表示，相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193奈米波長當作光源，超紫外光微影技術(shù)導(dǎo)入更短波長的光源，將有機會降低生產(chǎn)成本，而成為積體電路制造更先進技術(shù)世代一個有潛力的選擇。臺積電目前正在對超紫外光及其他微影技術(shù)的最佳成本效益潛力進行評估。

臺積電研發(fā)資深副總蔣尚義，臺積電將利用ASML的TWINSCAN NXE:3100設(shè)備，進行更先進世代制程技術(shù)的研發(fā)。超紫外光微影技術(shù)是臺積電正在研究的下世代微影技術(shù)之一，而導(dǎo)入此項設(shè)備，不但切合臺積電保持先進技術(shù)領(lǐng)先的目標，更強化了臺積電不斷投資于歐洲半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新的一貫承諾。經(jīng)由ASML和其他公司，歐洲半導(dǎo)體業(yè)將在臺積電未來制程技術(shù)的發(fā)展上，繼續(xù)扮演重要的角色。

積極進攻22奈米及更先進世代制程，臺積電上周五(2/19)也與荷蘭商MAPPER 共同宣布，MAPPER安裝在臺積電晶圓12廠超大晶圓廠的原型機臺，正不斷地重復(fù)寫出超威小電路組件。這項無光罩微影技術(shù)，超越了先前使用浸潤式微影技術(shù)的限制，可望有效降低晶圓制造成本，也有助下一世代積體電路發(fā)展。