英特爾/美光25納米工藝晶圓工廠直擊

前不久，Intel、美光合資閃存制造企業(yè) IMFlashTechnologies,LLC(IMFT)宣布已經(jīng)開始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實(shí)際上還邀請了多家媒體到IMFT位于美國猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進(jìn)行參觀。


位于雪山腳下的IMFT工廠


工廠結(jié)構(gòu)圖

工廠結(jié)構(gòu)，制造半導(dǎo)體產(chǎn)品最關(guān)鍵的無塵室位于第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設(shè)備維護(hù)工作則在二層的SubFab層完成。


進(jìn)入工廠的準(zhǔn)備工作

進(jìn)入無塵室之前的打包過程。（由于無塵室內(nèi)部的嚴(yán)格要求，實(shí)際上以下內(nèi)部照片均來自IMFT官方）


無塵工廠內(nèi)部

晶圓廠內(nèi)走廊，頂端的自動(dòng)運(yùn)輸系統(tǒng)（AMHS）正在以每小時(shí)13公里的速度將晶圓在各個(gè)制造環(huán)節(jié)間運(yùn)輸，24小時(shí)不停歇。每個(gè)運(yùn)載器都搭載了一個(gè)FOUP（前端開口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。

廠內(nèi)地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。


FOUP片盒掛接在一個(gè)制造階段設(shè)備上，后面的那個(gè)正在被AMHS吊起。





幾乎所有制造過程均為自動(dòng)完成，因此廠內(nèi)大部分工人的工作就是保證這些設(shè)備正常運(yùn)行。