宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0。18微米45VLDMOS電源管理制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0。18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45VLDMOS電源管理制程。

與傳統(tǒng)線寬相比，0。18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智能電源。宏力半導(dǎo)體成熟的0。18微米邏輯制程配備了具有高精準(zhǔn)模型的完整設(shè)計(jì)工具包，極大地縮短了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期，加速客戶產(chǎn)品的投產(chǎn)。此外，該0。18微米邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺(tái)供客戶選擇。

通過(guò)優(yōu)化器件的布局、注入和熱處理過(guò)程等特定步驟減小了Rdson(導(dǎo)通電阻)，45VNMOS和PMOS的導(dǎo)通電阻分別約為70mOhm"mm2和160mOhm"mm2。導(dǎo)通電阻的減小可以使電源芯片功率驅(qū)動(dòng)部分的面積縮減10%~40%，客戶因此可以為電源管理應(yīng)用提供更加有效的解決方案。

除此以外，模塊化制程也更加靈活。1。8V的器件可以易于添加或者移除，可適用于客戶的特殊要求。除了標(biāo)準(zhǔn)的5V器件外，根據(jù)客戶的特定設(shè)計(jì)，3。3V也可以用來(lái)備選。其他諸如MiM，HR和Bipolar等器件也可供客戶選擇。

銷售市場(chǎng)及服務(wù)資深副總裁衛(wèi)彼得博士說(shuō)：“宏力半導(dǎo)體最新發(fā)布的45VLDMOS是一個(gè)高性能的制程，可以為客戶提供一個(gè)低成本的解決方案，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。這個(gè)技術(shù)平臺(tái)針對(duì)目前快速發(fā)展的電源管理芯片市場(chǎng)，適用于尖端的LED驅(qū)動(dòng)、馬達(dá)控制和電池管理。宏力半導(dǎo)體在汽車電子芯片領(lǐng)域已經(jīng)積累了多年的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，我們相信這個(gè)先進(jìn)的新制程也能夠滿足汽車電子嚴(yán)苛的要求。”