Lasertec將上市SiC晶圓缺陷檢查裝置

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Lasertec開始受理SiC晶圓缺陷檢查裝置“WASAVI系列CICA61”的訂單。SiC晶圓正在功率元件領域普及。此次的產品主要用于評價分析SiC晶圓外延生長工藝的開發(fā)、管理制造工序中的工藝以及對晶圓進行供貨及驗收檢查等用途。

SiC晶圓受到晶圓本身透光引起的背面反射光及外延晶圓特有的階梯沖裁（Step Punching）的影響，存在難以檢查缺陷的課題。因此，在進行SiC晶圓缺陷檢查時，只能利用光學顯微鏡的暗場像（Dark Field Image）觀察從晶圓上飛出的異物造成的散亂光。

CICA61組合使用了在縱向觀察中突出較強的共焦光學系統(tǒng)及微小差異進行觀察的差分干涉測量法，可高精度檢測表面凹陷、堆垛層錯（Stacking Fault）及碎屑（Carrot）等晶圓表面較淺的凹陷形狀缺陷。還備有缺陷分布圖顯示功能、缺陷分類功能及高精度3D形狀檢測功能等。

Lasertec表示，“已有很多廠商訂購，除了研發(fā)用途之外，在制造過程中采用該裝置的情況也不斷增多”。