臺積電40/45納米制程近日傳出好消息，對岸的晶圓代工廠中芯國際也緊跟在后! 中芯國際表示，45納米搭上IBM技術陣營的共通平臺 (Common Platform)，進展也將愈追愈快，預計2009年底將正式投產(chǎn)(Tape-out)，2010年放量生產(chǎn)。中芯國際認為在機器設備折舊攤提持續(xù)下降與高階制程加入雙重效果下，2010年期待實現(xiàn)獲利。
IBM陣營愈來愈壯大，除了三星電子(Samsung Electronics)、新加坡特許(Chartered)與全球晶圓(Global Foundries)以外，中芯國際也在45納米世代制程起加入，預料搭上這班技術的列車，將會促使中芯追趕先進制程的速度加快。目前中芯的45納米芯片已經(jīng)通過客戶驗證，預料2009年底前正式投產(chǎn)。
中芯在日前首次舉辦的國際分析師日中表示，退出存儲器市場的策略不變，將全速邏輯IC制程世代挺進，其中45納米年底投產(chǎn)是重頭戲，而預計到了2010年 45納米若順利量產(chǎn)將可望挹注中芯國際營收。目前90納米、0.13微米的先進制程已經(jīng)占中芯國際營收比重約45%，而0.18微米以下主流制程的比重約 55%。
中芯國際表示，來自北美客戶的訂單約60%，對于0.13微米先進制程的需求依舊強勁;而相當看好大陸本地客戶對于0.13微米先進制程的需求，甚至還有供不應求的狀況，在大陸內地市場，中芯國際不斷擴張市占率，目前來自大中華地區(qū)的客戶比重已經(jīng)占營收35%。
中芯國際24日也宣布，采用Virage Logic嵌入式一項多次可程序設(MTP)的非揮發(fā)性存儲器 (NVM) 解決方案，應用于射頻識別(RFID)芯片之中。中芯表示，目前此IP正在0.18微米低漏電(LL)制程技術開發(fā)中，能夠提供高性能射頻。
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