中國最大規(guī)模IGBT半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地開建

　　5月25日，中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標(biāo)志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。項目設(shè)計年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只，中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計、芯片制造、模塊封裝、系統(tǒng)應(yīng)用完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，填補了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的空白。

　　IGBT，又稱新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管，是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟的主要支撐，被業(yè)界譽為綠色經(jīng)濟的核心。未來十年，軌道交通、新能源、電動汽車等綠色經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)將保持每年20%—30%的高速增長，IGBT市場發(fā)展前景光明。

　　目前國內(nèi)IGBT的主要供應(yīng)商為外國廠商，為支持我國企業(yè)技術(shù)突圍，IGBT成為國家產(chǎn)業(yè)政策重點支持和扶植的重大科技項目。中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目，總投資14億元，預(yù)計2013年正式投產(chǎn)。建成后，該基地將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力，年產(chǎn)值超過25億元，其產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)實力均達(dá)到國際領(lǐng)先水平。產(chǎn)品滿足軌道交通以及電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、智能電網(wǎng)、高壓變頻、工業(yè)傳動等多個行業(yè)需求，成為我國首個完全依靠自主能力建設(shè)的、設(shè)計規(guī)模最大、技術(shù)實力最強、產(chǎn)品型譜最全的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地，改變核心技術(shù)受制于人，產(chǎn)品依賴進口的不利局面，為建設(shè)資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會，促進國民經(jīng)濟快速健康發(fā)展做出重要貢獻。