3D IC助攻移動(dòng)處理器效能再上層樓

移動(dòng)裝置市場(chǎng)火熱發(fā)展，刺激3D IC快速起飛。尤其在移動(dòng)裝置增添裸視3D、擴(kuò)增實(shí)境等功能，以及照相機(jī)像素與高畫質(zhì)影像分辨率規(guī)格不斷提升下，目前1.5GHz處理速度的處理器已面臨瓶頸，促使芯片業(yè)者采取3D堆棧技術(shù)整合DDR3內(nèi)存，以進(jìn)一步提高效能。

近期智能型手機(jī)又更有進(jìn)一步的新發(fā)展，如美國(guó)CTIA無線通訊科技展中，臺(tái)灣宏達(dá)電新機(jī)HTC EVO 3D正式問世。該智能型手機(jī)為宏達(dá)電首款采用高通（Qualcomm）1.2GHz處理器，并具備裸視三維（3D）影像的Android 2.3操作系統(tǒng)手機(jī)，配備500萬像素3D雙鏡頭，以及130萬像素前視頻鏡頭，支持720p高畫質(zhì)3D和2D影片錄制。

無獨(dú)有偶，韓系手機(jī)大廠樂金（LG）與三星（Samsung）也陸續(xù)發(fā)表支持裸視3D的智能型手機(jī)。樂金Optimus 3D不僅讓使用者可拍攝3D影片并以裸視方式觀賞，還提供的完整3D體驗(yàn)，涵蓋3D錄像、3D影像觀賞與內(nèi)容分享。三星W960則配備主動(dòng)矩陣式有機(jī)發(fā)光二極管（AMOLED）3D顯示器，分辨率可達(dá)240×400像素，并內(nèi)建2D、3D轉(zhuǎn)換模式。

除了裸視3D外，擴(kuò)增實(shí)境（AR）亦為下一波手機(jī)內(nèi)建的創(chuàng)新功能；隨著智能型手機(jī)等移動(dòng)裝置納入越來越多的功能，同時(shí)既有功能規(guī)格也不斷提升，處理器的處理速度亦須不斷精進(jìn)，才能符合市場(chǎng)的需求。

有鑒于移動(dòng)裝置內(nèi)建的功能不斷增加，應(yīng)用處理器（AP）的效能亦須不斷提高，移動(dòng)裝置處理器大廠包括高通、德州儀器（TI）、意法愛立信（ST-Ericsson）等已開始關(guān)注三維芯片（3D IC）技術(shù)，以期透過3D IC架構(gòu)在處理器上增加更多內(nèi)存容量，進(jìn)一步提升處理器效能。而處理器業(yè)者的關(guān)注，也讓3D IC的發(fā)展道路更加清晰。

臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院信息與通訊研究所設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)組組長(zhǎng)蒯定明表示，提高處理器效能的最主要的方式即增加內(nèi)存深度，因此現(xiàn)階段移動(dòng)處理器業(yè)者多以系統(tǒng)封裝（SiP）的方式將處理器與閃存（Flash Memory）整合，不過，這種設(shè)計(jì)方式，處理器速度最多僅能達(dá)到1.5GHz，若要進(jìn)一步突破處理器效能，則須改以堆棧動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）的設(shè)計(jì)方式，因此處理器廠商已開始朝此方向邁進(jìn)。

雖然用SiP技術(shù)亦可達(dá)成處理器堆棧DRAM的設(shè)計(jì)，但其效果將不若采3D IC架構(gòu)的方案。蒯定明解釋，SiP是將要整合的芯片封裝后，再?gòu)姆庋b后的芯片旁邊打線連接到外部，此一方式的連接效能會(huì)受到連外打線延遲影響；若采用3D IC架構(gòu)，芯片間的聯(lián)系，與對(duì)外聯(lián)絡(luò)都可以直接透過芯片上的打線，可順利解決SiP的問題。由于3D IC具備的優(yōu)勢(shì)較SiP佳，因此處理器廠商已開始重視3D IC技術(shù)，并積極投入研發(fā)，對(duì)3D IC的發(fā)展而言將是很大的助力。

另一方面，主導(dǎo)DRAM的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)JEDEC提出的Wide I/O新規(guī)范中，開宗明義表示該規(guī)范除了在DRAM上采用五百一十二根I/O接腳外，并強(qiáng)調(diào)支持3D IC架構(gòu)。臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院信息與通訊研究所設(shè)計(jì)自動(dòng)化技術(shù)組技術(shù)組長(zhǎng)周永發(fā)指出，如此一來，移動(dòng)裝置處理器廠商若要導(dǎo)入DRAM以提高處理器整體效能，未來將不得不采用3D IC技術(shù)，這也是讓處理廠商開始重視3D IC的主要因素。

蒯定明補(bǔ)充，JEDEC所提的新規(guī)范目前仍為草案階段，預(yù)計(jì)2012年底定，預(yù)期未來DDR4也可能采用。

嚴(yán)格來說，目前僅內(nèi)存已正式導(dǎo)入3D IC技術(shù)，相關(guān)業(yè)者如三星、爾必達(dá)（Elpida）均積極研發(fā)3D IC技術(shù)，但伴隨移動(dòng)裝置對(duì)于處理器效能與尺寸的要求越來越嚴(yán)苛，目前包括高通、意法愛立信、德州儀器和輝達(dá)（NVIDIA）皆已積極發(fā)展3D IC架構(gòu)，甚至聯(lián)發(fā)科也相當(dāng)關(guān)心3D IC技術(shù)的進(jìn)展。蒯定明認(rèn)為，在處理器業(yè)者的努力下，即使未來3D IC不會(huì)成為各種芯片產(chǎn)品必然采用的技術(shù)，但對(duì)其整體的發(fā)展仍將有相當(dāng)大的推動(dòng)力。

受到移動(dòng)裝置在外型尺寸上的持續(xù)輕薄化，以及更多元功能的發(fā)展，處理器廠商已開始進(jìn)行更高整合度產(chǎn)品的研發(fā)，而提高處理器效能其中一種方法即為半導(dǎo)體先進(jìn)制程技術(shù)。安謀國(guó)際（ARM）策略營(yíng)銷處長(zhǎng)Ron Mooire表示，雖然系統(tǒng)單芯片（SoC）在每個(gè)制程世代的演進(jìn)中皆可持續(xù)縮小15%的芯片尺寸，但在低功耗與高速處理速度上將面臨極大的技術(shù)門坎，因此許多廠商開始關(guān)注3D IC架構(gòu)的研發(fā)，如臺(tái)積電、三星與全球晶圓（GlobalFoundries）等。

3D IC可異質(zhì)整合更多種類的芯片，因此移動(dòng)裝置業(yè)者冀望透過處理器整合更多的DRAM，來提升效能。Mooire指出，由于摩爾定律已走到瓶頸，再加上SiP技術(shù)封裝組件的效能有限，因此移動(dòng)裝置主處理器業(yè)者在多方考慮下，即便未來仍將持續(xù)走到14納米制程，但3D IC將是其產(chǎn)品下一階段另一重要發(fā)展技術(shù)。

據(jù)了解，目前高通與德州儀器仍是采用SiP技術(shù)封裝處理器與內(nèi)存，預(yù)期未來將采用3D IC架構(gòu)。

安謀國(guó)際身為移動(dòng)處理器硅智財(cái)（IP）龍頭業(yè)者，亦積極協(xié)助處理器廠商不斷透過SoC或3D IC等技術(shù)提升效能。Mooire認(rèn)為，雖然安謀國(guó)際僅為IP廠商，看似與實(shí)際的芯片產(chǎn)品無直接關(guān)系，但安謀國(guó)際在IP核心架構(gòu)中結(jié)合處理器、繪圖處理器（GPU）與內(nèi)存的子系統(tǒng)（Sub-system），已就3D IC技術(shù)所需進(jìn)行微調(diào)，并與晶圓廠維持密切的合作，進(jìn)行3D IC的測(cè)試，因此安謀國(guó)際的合作伙伴中，第一級(jí)（Tier One）處理器業(yè)者已計(jì)劃采用3D IC的架構(gòu)。

Mooire并強(qiáng)調(diào)，未來無論是手機(jī)或平板裝置（Tablet Device）等移動(dòng)裝置，甚至個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）都會(huì)日趨輕薄，因此3D IC將更有機(jī)會(huì)被采納。

晶圓代工廠技術(shù)掌握度高

看準(zhǔn)未來3D IC將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)勢(shì)在必行的發(fā)展趨勢(shì)，臺(tái)灣創(chuàng)意電子正積極透過SiP技術(shù)的基礎(chǔ)，進(jìn)一步跨進(jìn)3D IC技術(shù)的研發(fā)。由于3D IC發(fā)展過程中遇到的挑戰(zhàn)與SiP大致類似，因此創(chuàng)意電子在SoC與SiP所累積的豐富經(jīng)驗(yàn)，無疑成為其挺進(jìn)3D IC市場(chǎng)最佳的技術(shù)后盾。

臺(tái)灣創(chuàng)意電子營(yíng)運(yùn)處SiP/ 3D IC項(xiàng)目處長(zhǎng)林崇銘表示，未來印刷電路板面積將持續(xù)縮減，芯片設(shè)計(jì)勢(shì)必走向更高整合度，所以半導(dǎo)體業(yè)者必須藉由3D IC堆棧芯片技術(shù)來減少采用的芯片數(shù)量；而發(fā)展3D IC所面臨的問題，如半導(dǎo)體設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具不完備，以及如何確保已知良裸晶（Known Good Die）來源等，其實(shí)與SiP極為相似，且更加復(fù)雜，因此，若無扎實(shí)的SiP技術(shù)發(fā)展基石，則遑論3D IC的研發(fā)。

林崇銘進(jìn)一步指出，雖然3D IC的問題較SiP復(fù)雜許多，但是憑借創(chuàng)意電子在SiP設(shè)計(jì)領(lǐng)域打下的深厚基礎(chǔ)，將可順利解決3D IC技術(shù)面所遭遇的挑戰(zhàn)，這也是創(chuàng)意電子毅然決定跨入3D IC的重要因素。

目前創(chuàng)意電子在3D IC的發(fā)展尚在起步階段，林崇銘表示，現(xiàn)階段創(chuàng)意電子業(yè)務(wù)來源仍以SoC與SiP為主，3D IC技術(shù)仍未有客戶，預(yù)期2013年，3D IC整體生態(tài)鏈的建構(gòu)更完備、市場(chǎng)更成熟之后，創(chuàng)意電子3D IC的業(yè)務(wù)才會(huì)開始起飛，屆時(shí)將鎖定移動(dòng)裝置與高效能組件市場(chǎng)，初步將先整合邏輯與內(nèi)存，或邏輯與模擬組件，抑或邏輯組件堆棧。在此之前，創(chuàng)意電子也將先建立2.5D芯片堆棧技術(shù)，以順利升級(jí)至3D IC。

事實(shí)上，目前阻礙業(yè)者導(dǎo)入3D IC的一大因素，在于成本過高。林崇銘認(rèn)為，現(xiàn)階段，3D IC整體供應(yīng)鏈尚未建置完全是不爭(zhēng)的事實(shí)，導(dǎo)致3D IC成本過高，不過，此一雞生蛋、蛋生雞的問題，預(yù)計(jì)短時(shí)間內(nèi)將可順利解決，原因在于半導(dǎo)體業(yè)者對(duì)于3D堆棧技術(shù)需求已逐漸涌現(xiàn)，不論是采用硅穿孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)的3D IC，或英特爾提出的三閘極（Tri-gate）3D晶體管結(jié)構(gòu)，皆已漸成氣候，意味相關(guān)供應(yīng)鏈亦已有初步的準(zhǔn)備，因此未來3D IC的發(fā)展與生態(tài)系統(tǒng)將可望更趨完備。

3D IC儼然已成為未來超越摩爾定律的重要技術(shù)，因而吸引包括晶圓代工廠及封裝廠紛紛搶進(jìn)。然而，由于硅穿孔技術(shù)在晶圓制造前段即須進(jìn)行，因此晶圓代工廠掌握的技術(shù)層級(jí)較封裝廠高，在3D IC的技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展較具優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)灣南臺(tái)科技大學(xué)電子系教授唐經(jīng)洲表示，硅穿孔為3D IC最重要的技術(shù)，采用硅穿孔技術(shù)的芯片產(chǎn)品才能稱為3D IC，而要進(jìn)行硅穿孔，較佳的方式是在硅晶圓制造過程中即先行鉆孔，如此一來，遭遇的問題將較少，而晶圓前段制程各項(xiàng)技術(shù)屬晶圓廠最為熟知，自然晶圓廠商在3D IC的制造可掌握較多關(guān)鍵技術(shù)。

不過，對(duì)封裝業(yè)者而言，3D IC自然也是不可忽略的商機(jī)。唐經(jīng)洲指出，3D IC屬于SiP技術(shù)的一環(huán)，擅于將各式晶圓進(jìn)行封裝工作的封裝廠，亦躍躍欲試。然而，礙于封裝廠的技術(shù)多屬于晶圓后段制程，若要取得已經(jīng)過硅穿孔的晶圓半成品，依舊須從晶圓廠購(gòu)得，抑或者再投入龐大的資金建置前段制程，惟目前3D IC發(fā)展尚未相當(dāng)明朗，封裝業(yè)者對(duì)于龐大的投資能否達(dá)到平衡或進(jìn)一步回收，仍抱持觀望態(tài)度，以致于封裝業(yè)者在3D IC市場(chǎng)的主導(dǎo)性不若晶圓廠。

雖然目前封裝廠在3D IC市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)較為薄弱，但并不代表封裝廠在芯片立體堆棧的市場(chǎng)將完全沒有機(jī)會(huì)。唐經(jīng)洲認(rèn)為，3D IC硅穿孔技術(shù)畢竟技術(shù)門坎仍相當(dāng)高，成本依然高昂，因此許多對(duì)3D IC有興趣的業(yè)者，如應(yīng)用處理器大廠，即先選擇采用2.5D架構(gòu)，作為進(jìn)入3D IC的基礎(chǔ)。唐經(jīng)洲強(qiáng)調(diào)，2.5D架構(gòu)僅純粹的芯片堆棧，毋須硅穿孔，因此技術(shù)難度相對(duì)較低，封裝廠可掌握2.5D封裝的關(guān)鍵技術(shù)，因此現(xiàn)階段封裝廠包括日月光、硅品皆已投入2.5D封裝技術(shù)的發(fā)展。

專門提供IC制造設(shè)備的住程（SPTS）營(yíng)銷副總裁David Butler亦表示，就該公司客戶的發(fā)展情形來看，2.5D將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前進(jìn)3D IC架構(gòu)的第一步，包括封測(cè)業(yè)者與晶圓代工業(yè)者目前研發(fā)重點(diǎn)皆以2.5D為主，并計(jì)劃以此為基礎(chǔ)發(fā)展3D IC。

陳瑞銘：3D IC市場(chǎng)尚未全面啟動(dòng)

觀察整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2011年第三季旺季不旺已成必然，但第四季與2012年，隨著微軟（Microsoft）Windows 7移動(dòng)裝置產(chǎn)品的問世與超微（AMD）試圖將x86技術(shù)進(jìn)行新的應(yīng)用，如透過40或28納米實(shí)現(xiàn)更低功耗芯片，以及Windows 8將可支持安謀國(guó)際、英特爾與超微架構(gòu)，這些非蘋果（Apple）陣營(yíng)移動(dòng)裝置新一波的市場(chǎng)高潮，將更帶動(dòng)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，除了促進(jìn)SoC加速朝先進(jìn)制程發(fā)展外，3D IC將是另一個(gè)受惠的技術(shù)。

惠瑞捷（Verigy）臺(tái)灣分公司總經(jīng)理陳瑞銘表示，3D IC受到矚目的原因，除了可提高整合度與處理器效能外，更重要的是，毋須透過最先進(jìn)的制程即可完成，因此主要的晶圓廠與行動(dòng)處理器廠商勢(shì)必進(jìn)入3D IC的研發(fā)。

不過，3D IC硅穿孔技術(shù)卻也帶來許多挑戰(zhàn)，陳瑞銘指出，硅穿孔技術(shù)仍在初步發(fā)展階段，技術(shù)質(zhì)量仍不穩(wěn)定，且磨薄晶圓的技術(shù)門坎也很大，加上產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈未建立完全，也沒有統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)可供業(yè)者遵循。此外，如何測(cè)試3D IC質(zhì)量亦為一大學(xué)問，因此3D IC的市場(chǎng)尚未全面啟動(dòng)，反而是利用在基板上長(zhǎng)晶、毋須鉆孔的2.5D技術(shù)將成為SiP進(jìn)展到3D IC的過渡技術(shù)。此外，2.5D亦已標(biāo)準(zhǔn)化，以此標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)也將加速3D IC標(biāo)準(zhǔn)的問世。

除了技術(shù)的挑戰(zhàn)外，成本亦為3D IC發(fā)展不順?biāo)斓脑?。蒯定明指出，由于目?D IC產(chǎn)業(yè)鏈并未建置完全，因此3D IC的成本仍然相當(dāng)高昂，導(dǎo)致3D IC將不會(huì)成為普遍使用的芯片技術(shù)，且應(yīng)用產(chǎn)品也將鎖定于對(duì)高成本組件接受度較大的高階產(chǎn)品。

綜上所述，移動(dòng)裝置無疑是助長(zhǎng)3D IC發(fā)展的主要推手，即便仍有諸多挑戰(zhàn)待解，3D IC市場(chǎng)起飛已指日可待。日前剛結(jié)束的SEMICON Taiwan中，日月光集團(tuán)總經(jīng)理暨研發(fā)長(zhǎng)唐和明即表示，3D IC將是后PC時(shí)代，亦即移動(dòng)運(yùn)算時(shí)代的主流，即使全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展速度減緩，各廠推動(dòng)研發(fā)腳步并不停歇。今年以來從上游IC設(shè)計(jì)、整合組件制造商（IDM）、晶圓代工廠，到后段封測(cè)廠及系統(tǒng)整合廠商，都朝制定邏輯IC和內(nèi)存連結(jié)的共同標(biāo)準(zhǔn)邁進(jìn)，2011年底即可看到成果，并做為業(yè)者開發(fā)的依據(jù)，預(yù)計(jì)2013年將為3D IC起飛元年。