氮化鎵何去何從？EPC 公司推出關(guān)于氮化鎵技術(shù)的6個(gè)視頻應(yīng)用于工業(yè)及消費(fèi)類產(chǎn)品

時(shí)間：2016-04-29 17:38:23

關(guān)鍵字： epc 氮化鎵視頻

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]宜普電源轉(zhuǎn)換公司制作了6個(gè)視頻，于網(wǎng)上分享采用eGaN® FET及集成電路(IC)并面向最終用戶的應(yīng)用。這些視頻展示出氮化鎵技術(shù)如何改變了我們的生活方式及挑戰(zhàn)功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師如何在他們的新一代功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)中發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的卓越性能。

EPC分享由專家制作的關(guān)于終端應(yīng)用的6個(gè)視頻，例如無(wú)線電源傳送、單級(jí)48 V–1 V DC/DC轉(zhuǎn)換，以及采用氮化鎵晶體管及集成電路、面向4G/LTE基站的包絡(luò)跟蹤等應(yīng)用。

21ic訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司制作了6個(gè)視頻，于網(wǎng)上分享采用eGaN^® FET及集成電路(IC)并面向最終用戶的應(yīng)用。這些視頻展示出氮化鎵技術(shù)如何改變了我們的生活方式及挑戰(zhàn)功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師如何在他們的新一代功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)中發(fā)揮氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的卓越性能。

關(guān)于在各種應(yīng)用采用氮化鎵晶體管的視頻包括：

1.從EPC公司于2016年APEC研討會(huì)上的展臺(tái)所演示的應(yīng)用可以看到，eGaN技術(shù)的出現(xiàn)，改變了我們的生活方式

Alex Lidow在本視頻與工程師分享基于eGaN FET及集成電路的應(yīng)用超過十多種，包括48 V–負(fù)載點(diǎn) DC/DC轉(zhuǎn)換、無(wú)線電源傳送、LiDAR及包絡(luò)跟蹤等應(yīng)用。

2. 面向無(wú)線電源傳送應(yīng)用的eGaN技術(shù)

eGaN產(chǎn)品已經(jīng)廣泛地被應(yīng)用于各種無(wú)線電源傳送系統(tǒng)，包括多模式系統(tǒng)。本視頻展示出如何于各種應(yīng)用發(fā)揮eGaN產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。除了展示EPC公司的解決方案外，我們也與工程師分享多個(gè)客戶應(yīng)用于無(wú)線電源的最終產(chǎn)品，包括Witricity、Solace Power及 Gill Electronics等。

3.面向LiDAR應(yīng)用的eGaN FET

光學(xué)遙感技術(shù)(LiDAR)在需要更快速形成三維圖像及更高準(zhǔn)確度的應(yīng)用日益受歡迎，例如全自動(dòng)駕駛車輛的導(dǎo)航及擴(kuò)增實(shí)景(AR)系統(tǒng)。本視頻展示由于eGaN FET具備超短速的轉(zhuǎn)換時(shí)間(數(shù)百 picosecond),因此可以實(shí)現(xiàn)大電流脈沖。

4.面向包絡(luò)跟蹤應(yīng)用的eGaN FET

包絡(luò)跟蹤技術(shù)可以使得通信基站的效率倍增，以及延長(zhǎng)采用4G及5G標(biāo)準(zhǔn)的移動(dòng)電話的通話時(shí)間。我們?cè)诒疽曨l展示面向包絡(luò)跟蹤應(yīng)用、60 W、20 MHz頻寬、4相、與LTE兼容、基于eGaN FET的演示板具備超快速性能。

5.面向48 V–POL DC/DC轉(zhuǎn)換的eGaN FET、集成電路及模塊

重新考慮采用氮化鎵技術(shù)的伺服器功率結(jié)構(gòu)。氮化鎵技術(shù)可以省卻目前所需的12 V中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)而同時(shí)提高電源使用效率(PUE)。本視頻展示1)采用TI的氮化鎵基模塊在40 A時(shí)可實(shí)現(xiàn)單級(jí)轉(zhuǎn)換(從48 V直接轉(zhuǎn)換到1 V);及2)采用eGaN集成電路在20 A時(shí)可實(shí)現(xiàn)從48 V直接轉(zhuǎn)換到1.8 V的硬開關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器。

6.利用eGaN技術(shù)在1/8磚式DOSA外形設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)700 W DCX DC/DC轉(zhuǎn)換

本視頻展示使用1/8磚式 DC/DC轉(zhuǎn)換器尺寸、以DCX模式操作的700 W DC/DC轉(zhuǎn)換器。我們可以看到，由于eGaN FET具備卓越的開關(guān)特性、散熱性能及小尺寸等優(yōu)勢(shì)，因此eGaN FET可以在DOSA標(biāo)準(zhǔn)的磚式占板面積上實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow稱：「這個(gè)精簡(jiǎn)視頻系列為工程師介紹由高性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路推動(dòng)并面向最終用戶的應(yīng)用，旨在幫助具備創(chuàng)新和前瞻性思維的功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師如何發(fā)揮氮化鎵產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì),點(diǎn)亮氮化鎵創(chuàng)新之路?！?/p>

以上的氮化鎵應(yīng)用視頻可以在EPC視頻庫(kù)或優(yōu)酷視頻找到。

關(guān)于講者

講者包括Alex Lidow、Michael DeRooij、David Reusch、John Glaser及Yuanzhe Zhang博士，他們都是EPC公司的應(yīng)用工程人員，在功率晶體管設(shè)計(jì)及應(yīng)用方面共同擁有超過75年的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。他們都擁有理學(xué)博士學(xué)位及在新興的氮化鎵晶體管及集成電路技術(shù)方面擁有實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。