國產(chǎn)要自強！紫光預計年底可DDR4內(nèi)存顆粒推向市場

近年來，我國對集成電路、存儲等半導體領(lǐng)域投資加大，成效也漸漸凸顯出來，紫光在存儲領(lǐng)域的發(fā)展也非常迅速，預計今年年底可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場，再過些時日，我國或擺脫對國外存儲產(chǎn)品的嚴重依賴。

日前，國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預計今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。

之前紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國微會在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對于公司來說，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會在年內(nèi)完成設(shè)計和生產(chǎn)。

紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2個型號為“SCQ04GS03AF1C-21P”、“SCQ08GS13AF1C-21P”。

如今三星、東芝、鎂光現(xiàn)已能極好的量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，希望紫光能夠快速追趕，跟上技術(shù)發(fā)展的步伐。