ST獲獎產(chǎn)品電子羅盤模塊獲小米Mi1S智能手機采用

2013年12月31日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、全球最大的MEMS制造商和全球最大的消費電子和移動設(shè)備MEMS供應(yīng)商 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），率先向小米 (Mi1S)等中國新興智能手機廠商提供LSM303D 加速度計和磁強計二合一模塊。

意法半導(dǎo)體的LSM303系列電子羅盤在一個2x2x1mm微型模塊內(nèi)整合一個3軸加速度計和一個3軸磁場傳感器。該系列的LSM303C最近被MEMS產(chǎn)業(yè)集團（MEMS Industry Group，MIG）評為“年度產(chǎn)品”。這些器件可精確測量外部磁場的方向和強度，同時集成的加速度計可修證傾斜度對精確度的影響，即使在手持產(chǎn)品傾斜時，仍能確保明羅盤方向的精確度。這些功能可實現(xiàn)今天所有移動產(chǎn)品的核心功能之一：屏幕旋轉(zhuǎn)功能。

意法半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼模擬產(chǎn)品、MEMS和傳感器產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Benedetto Vigna表示：“ 對于智能手機等移動設(shè)備，每一毫瓦都很重要。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品達到最低的尺寸限制要求，在不犧牲其它方面性能的前提下可大幅降低功耗。這些優(yōu)勢有助于設(shè)備廠商開發(fā)更符合客戶預(yù)期的產(chǎn)品，同時將全球資源浪費降低至最低限度。”

LSM303的低功耗是利用了一種叫做磁阻(Magneto Resistance ，MR)的物理現(xiàn)象。與競爭產(chǎn)品所用技術(shù)相比，例如霍爾效應(yīng)（Hall effect）或磁通門（fluxgate），磁阻的能效更高。憑借意法半導(dǎo)體技術(shù)團隊雄厚的研發(fā)實力，新產(chǎn)品充分利用了磁阻技術(shù)固有的高能效優(yōu)勢，同時模塊尺寸、滿量程分辨率和降噪性能均與競爭產(chǎn)品媲美甚至超越競爭對手。

Benedetto Vigna表示：“在功耗、性能、價格和尺寸等方面，我們的MEMS技術(shù)持續(xù)全方位地提高產(chǎn)品標(biāo)準，這讓像小米一樣的充滿活力的中國創(chuàng)業(yè)公司能夠提高他們所在市場的產(chǎn)品標(biāo)準?！?BR>
除了是全球最大的MEMS傳感器廠商外，意法半導(dǎo)體還是世界領(lǐng)先的MEMS技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)廠商商。將已獲準的和正在審批的專利加在一起，意法半導(dǎo)體在全世界擁有900余項MEMS相關(guān)專利。