[導讀]HMC(混合內(nèi)存立方體)內(nèi)存是美光聯(lián)合IBM以及三星等產(chǎn)業(yè)巨頭共同開發(fā)的新一代超高速內(nèi)存技術，它使用TSV(硅穿孔)技術堆疊多層DRAM芯片，從而達到提升內(nèi)存速度以及密度的雙重目的。據(jù)稱HCM內(nèi)存的帶寬能夠達到DDR3標準的
HMC(混合內(nèi)存立方體)內(nèi)存是美光聯(lián)合IBM以及三星等產(chǎn)業(yè)巨頭共同開發(fā)的新一代超高速內(nèi)存技術，它使用TSV(硅穿孔)技術堆疊多層DRAM芯片，從而達到提升內(nèi)存速度以及密度的雙重目的。據(jù)稱HCM內(nèi)存的帶寬能夠達到DDR3標準的15倍，同時功耗缺能夠降低70%，占用空間則減少了90%。
美光是生產(chǎn)HMC內(nèi)存的第一家廠商，今天宣布開始出貨容量為2GB的HMC內(nèi)存工程樣品，這是世界上首款HMC內(nèi)存產(chǎn)品。
當然2GB的容量實在是有點小了，按照美光的計劃來看，明年初就能夠生產(chǎn)容量4GB的HMC內(nèi)存了，在三到五年內(nèi)可以實現(xiàn)商業(yè)化。
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