IGBT市場商機(jī)無限 中韓廠商成不穩(wěn)定因素
[導(dǎo)讀]在2011-2012年IGBT市場少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場規(guī)模預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美金。IGBT市場成長的五大動(dòng)力源IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車( EV/
在2011-2012年IGBT市場少許反常性的下跌后，Yole分析師預(yù)期今年市場已回歸穩(wěn)定成長腳步，具體而言，市場規(guī)模預(yù)估將從今年的36億美元，在5年后達(dá)到60億美金。
IGBT市場成長的五大動(dòng)力源
IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車( EV/HEV)，再生能源( Renewable Energies)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器( Motor Drive)，不間斷電動(dòng)力系統(tǒng) (UPS)及交通上的應(yīng)用是市場成長的動(dòng)力來源。
其中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT市場成長的最大動(dòng)力，又可區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用；風(fēng)能，太陽能等再生能源也是IGBT市場成長的幫手。不過，這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)多賴政府補(bǔ)助或投資，難以正確預(yù)估其成長趨勢。幸運(yùn)的是，日本與一些發(fā)展中國家風(fēng)能與太陽能市場的成長，約可彌補(bǔ)歐洲市場的成長趨緩；基于提高能源效率的要求，大眾運(yùn)輸及不間斷電源系統(tǒng)等基礎(chǔ)建設(shè)需求也驅(qū)動(dòng)了IGBT市場的成長；至于IGBT在EV/HEV應(yīng)用的情況尚無法確定，從2013年第一季EV/HEV的市場季報(bào)及其技術(shù)演變來看，增長一定會來到，但無法準(zhǔn)確斷定成長幅度及時(shí)間。
除了上述的幾個(gè)主要成長動(dòng)力外，Yole還對潛在應(yīng)用進(jìn)行了分析，其中一些重要趨勢不容忽視，例如所謂的“變頻器化”（Inverterization）便是其中之一。
為了達(dá)到高端家電更高性能、更舒適、更節(jié)能的必備條件，越來越多家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都要求配備變頻器。消費(fèi)者也越來越習(xí)慣使用先進(jìn)的家電產(chǎn)品，例如電磁感應(yīng)電鍋。這一類新興應(yīng)用將會促使IGBT在消費(fèi)性應(yīng)用領(lǐng)域的增長。
2012年電力設(shè)備市場衰退，尤其是IGBT市場慘跌25%，主要是由于以下幾個(gè)原因：
1）2012年歐洲各國政府緊縮對再生能源的補(bǔ)助，風(fēng)力發(fā)電機(jī)及太陽能安裝量驟跌；
2）2012年中國減緩風(fēng)力發(fā)電機(jī)的安裝速度；
3）2012年中國高鐵事故導(dǎo)致高鐵的生產(chǎn)喊停
4）全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇速度不如預(yù)期的快，進(jìn)而影響消費(fèi)性市場買氣。
此外，受到日本地震及海嘯的影響，導(dǎo)致系統(tǒng)制造商爭取訂單貨源。綜合上述因素，造成2011年IGBT產(chǎn)能過剩，IGBT市場也為此在2012年及2013年初付出了代價(jià)。
與SiC、GaN三分天下，IGBT轉(zhuǎn)移至中低端解決方案
此外，IGBT市場還面臨著來自外部的競爭壓力。通過觀察IGBT的同類元器件的趨勢，注意到發(fā)生了很多技術(shù)演進(jìn)。
事實(shí)上，IGBT驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域從來沒有像今天這般活躍過：有一大堆的新興廠商推出具有更佳設(shè)計(jì)靈活性及效能的解決方案；其他一些廠商致力于功率堆迭（ｐｏｗｅｒ ｓｔａｃｋ ｌｅｖｅｌ）的設(shè)計(jì)。越來越多的廠商將心力投注到功率模塊封裝的解決方案上?！?BR>
不過，IGBT已經(jīng)不再是高端電子設(shè)備的唯一解決方案了。SiC器件已經(jīng)量產(chǎn)，GaN器件也進(jìn)入試產(chǎn)階段。應(yīng)用版圖已經(jīng)十分清晰，基于MOSFET或者JFET的SiC太陽能變頻器已經(jīng)誕生，高壓和低壓應(yīng)用市場分別被SiC和GaN技術(shù)占據(jù)，IGBT則逐漸轉(zhuǎn)移至中低端解決方案。
如今，對高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發(fā)展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產(chǎn)，功能整合等等。因此，Yole認(rèn)為IGBT市場并沒有進(jìn)入彌留之際或是衰退期。不，絕不是，IGBT市場的商機(jī)無限。
中韓廠商搶入，供應(yīng)鏈極不穩(wěn)定
IGBT供應(yīng)鏈極不穩(wěn)定，越來越多的亞洲廠商已進(jìn)入或愿意進(jìn)入IGBT的市場。中國及韓國廠商進(jìn)入IGBT市場是發(fā)展趨勢。其中，最大的廠商有收購丹尼克斯半導(dǎo)體的中國南車（CSR）以及BYD，兩者皆有志向垂直整合的業(yè)務(wù)模式進(jìn)軍。
代工廠及無晶圓廠也正在瞄準(zhǔn)低電壓，低端產(chǎn)品市場的發(fā)展機(jī)會。作為進(jìn)入市場的第一步，亞洲廠商可能會先掌握既有的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，專注于生產(chǎn)當(dāng)?shù)厥袌鏊璧漠a(chǎn)品上。
與此同時(shí)，美國及歐洲廠商正在致力于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，有一部分半導(dǎo)體廠商如安森美（子公司三洋）、萬國半導(dǎo)體（AOS）等都正在切入或準(zhǔn)備切入IGBT市場。
IGBT市場成長的五大動(dòng)力源
IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車( EV/HEV)，再生能源( Renewable Energies)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器( Motor Drive)，不間斷電動(dòng)力系統(tǒng) (UPS)及交通上的應(yīng)用是市場成長的動(dòng)力來源。
其中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT市場成長的最大動(dòng)力，又可區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用；風(fēng)能，太陽能等再生能源也是IGBT市場成長的幫手。不過，這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)多賴政府補(bǔ)助或投資，難以正確預(yù)估其成長趨勢。幸運(yùn)的是，日本與一些發(fā)展中國家風(fēng)能與太陽能市場的成長，約可彌補(bǔ)歐洲市場的成長趨緩；基于提高能源效率的要求，大眾運(yùn)輸及不間斷電源系統(tǒng)等基礎(chǔ)建設(shè)需求也驅(qū)動(dòng)了IGBT市場的成長；至于IGBT在EV/HEV應(yīng)用的情況尚無法確定，從2013年第一季EV/HEV的市場季報(bào)及其技術(shù)演變來看，增長一定會來到，但無法準(zhǔn)確斷定成長幅度及時(shí)間。
除了上述的幾個(gè)主要成長動(dòng)力外，Yole還對潛在應(yīng)用進(jìn)行了分析，其中一些重要趨勢不容忽視，例如所謂的“變頻器化”（Inverterization）便是其中之一。
為了達(dá)到高端家電更高性能、更舒適、更節(jié)能的必備條件，越來越多家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都要求配備變頻器。消費(fèi)者也越來越習(xí)慣使用先進(jìn)的家電產(chǎn)品，例如電磁感應(yīng)電鍋。這一類新興應(yīng)用將會促使IGBT在消費(fèi)性應(yīng)用領(lǐng)域的增長。
2012年電力設(shè)備市場衰退，尤其是IGBT市場慘跌25%，主要是由于以下幾個(gè)原因：
1）2012年歐洲各國政府緊縮對再生能源的補(bǔ)助，風(fēng)力發(fā)電機(jī)及太陽能安裝量驟跌；
2）2012年中國減緩風(fēng)力發(fā)電機(jī)的安裝速度；
3）2012年中國高鐵事故導(dǎo)致高鐵的生產(chǎn)喊停
4）全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇速度不如預(yù)期的快，進(jìn)而影響消費(fèi)性市場買氣。
此外，受到日本地震及海嘯的影響，導(dǎo)致系統(tǒng)制造商爭取訂單貨源。綜合上述因素，造成2011年IGBT產(chǎn)能過剩，IGBT市場也為此在2012年及2013年初付出了代價(jià)。
與SiC、GaN三分天下，IGBT轉(zhuǎn)移至中低端解決方案
此外，IGBT市場還面臨著來自外部的競爭壓力。通過觀察IGBT的同類元器件的趨勢，注意到發(fā)生了很多技術(shù)演進(jìn)。
事實(shí)上，IGBT驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域從來沒有像今天這般活躍過：有一大堆的新興廠商推出具有更佳設(shè)計(jì)靈活性及效能的解決方案；其他一些廠商致力于功率堆迭（ｐｏｗｅｒ ｓｔａｃｋ ｌｅｖｅｌ）的設(shè)計(jì)。越來越多的廠商將心力投注到功率模塊封裝的解決方案上?！?BR>
不過，IGBT已經(jīng)不再是高端電子設(shè)備的唯一解決方案了。SiC器件已經(jīng)量產(chǎn)，GaN器件也進(jìn)入試產(chǎn)階段。應(yīng)用版圖已經(jīng)十分清晰，基于MOSFET或者JFET的SiC太陽能變頻器已經(jīng)誕生，高壓和低壓應(yīng)用市場分別被SiC和GaN技術(shù)占據(jù)，IGBT則逐漸轉(zhuǎn)移至中低端解決方案。
如今，對高效能源的需求比以往更甚，IGBT仍處于發(fā)展及改善階段：更薄的晶圓，更高效率的生產(chǎn)，功能整合等等。因此，Yole認(rèn)為IGBT市場并沒有進(jìn)入彌留之際或是衰退期。不，絕不是，IGBT市場的商機(jī)無限。
中韓廠商搶入，供應(yīng)鏈極不穩(wěn)定
IGBT供應(yīng)鏈極不穩(wěn)定，越來越多的亞洲廠商已進(jìn)入或愿意進(jìn)入IGBT的市場。中國及韓國廠商進(jìn)入IGBT市場是發(fā)展趨勢。其中，最大的廠商有收購丹尼克斯半導(dǎo)體的中國南車（CSR）以及BYD，兩者皆有志向垂直整合的業(yè)務(wù)模式進(jìn)軍。
代工廠及無晶圓廠也正在瞄準(zhǔn)低電壓，低端產(chǎn)品市場的發(fā)展機(jī)會。作為進(jìn)入市場的第一步，亞洲廠商可能會先掌握既有的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，專注于生產(chǎn)當(dāng)?shù)厥袌鏊璧漠a(chǎn)品上。
與此同時(shí)，美國及歐洲廠商正在致力于推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，有一部分半導(dǎo)體廠商如安森美（子公司三洋）、萬國半導(dǎo)體（AOS）等都正在切入或準(zhǔn)備切入IGBT市場。
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