搶攻FinFET設計商機　益華發(fā)布新Virtuoso平臺

益華(Cadence)針對28奈米以下制程及鰭式場效電晶體(FinFET)制程發(fā)布最新版Virtuoso布局(Layout)設計套件，該套件具備電子意識設計(Electrically Aware Design, EAD)功能，可以協(xié)助行動裝置積體電路(IC)設計商縮短產(chǎn)品設計周期并提高客制IC效能。

益華客制IC與仿真產(chǎn)品管理資深團隊總監(jiān)Wilbur Luo指出，Virtuoso設計平臺目前已有75%的市占，而先進制程對于該設計平臺的高需求將助益其市占持續(xù)擴張。

益華客制IC與仿真(Simulation)產(chǎn)品管理資深團隊總監(jiān)Wilbur Luo表示，半導體制程由28奈米演進至16/14奈米FinFET制程的過程中，IC設計商會面臨愈來愈嚴重的電致遷移(Electromigration, EM)問題以及布局依賴效應，加上先進制程設計規(guī)則多且復雜，將導致IC設計工程師在設計和驗證數(shù)十億電晶體的同時，也面臨龐大的上市時程壓力。

為協(xié)助客戶順利克服FinFET制程挑戰(zhàn)，益華發(fā)表新Virtuoso設計套件，該套件可針對電致遷移問題，在工程師繪制布局時提出分析及警告，讓工程師即時更正其設計;此外，Virtuoso設計套件亦具備在類比設計環(huán)境的仿真過程中擷取電流、電壓資訊，并傳送至布局環(huán)境的能力。

另一方面，Virtuoso設計套件可實現(xiàn)部分布局(Partial Layout)功能，亦即工程師可直接在布局設計過程中即時電子化分析、模擬、驗證內(nèi)部連結，以確保其布局架構正確。該設計功能讓工程師減少其設計往返(Iteration)時間，以及避免其晶片過度設計(Over Design)，進而導致耗電高、影響晶片效能，及占位空間增加等問題。

Luo指出，博通(Broadcom)已于28奈米制程實際使用Virtuoso布局套件，而其通訊晶片在提高效能表現(xiàn)與縮小尺寸之余，更受惠于Virtuoso部分布局功能，而較上一代晶片縮短30%的設計時程。他認為，未來IC設計商在FinFET制程世代將面臨更嚴峻的挑戰(zhàn)，而Virtuoso設計套件的角色也將更加吃重。

另一方面，臺積電也宣布將擴大與益華在Virtuoso設計平臺上的合作關系，以設計和驗證其先進制程矽智財(IP)，同時，臺積電亦將以SKILL為基礎的制程設計套件(PDKs)擴大應用于16奈米制程，以實現(xiàn)Virtuoso設計平臺的色彩意識布局(Color-aware Layout)、先進繞線(Advanced Routing)、自動對準(Auto-alignment)等功能。