[導讀]晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導入量產時程，也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程，縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術差
晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries)今年將投入44~45億美元資本支出，除了加速美國紐約州12寸廠Fab8導入量產時程，也計劃明年開始提供客戶14納米鰭式場效晶體管(FinFET)制程，縮短與競爭對手臺積電之間的制程技術差距。
根據市調機構ICInsights統(tǒng)計，格羅方德去年已是全球第15大半導體廠，去年全年營收45.6億美元，年成長率高達31%，雖然營收規(guī)模只有龍頭大廠臺積電的三分之一不到，但已拉開與聯(lián)電間的差距，營收差距擴大到8億美元，等于是穩(wěn)坐全球第2大晶圓代工廠寶座。
格羅方德今年決定投入44~45億美元資本支出，除了要加快紐約州12寸廠Fab8導入量產，也要加快制程技術的微縮，以利積極爭取代工訂單。格羅方德現在是超微(AMD)主流級加速處理器(APU)主要代工廠，去年也已成功拿下高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)的手機芯片及ARM應用處理器代工訂單。
格羅方德先進技術架構副總裁SubramaniKengeri表示，英特爾跨入晶圓代工市場，而且開始推出低功耗智能型手機及平板計算機芯片，現在的手機芯片廠的確感受到競爭壓力與日俱增。由于英特爾3D架構晶體管制程技術領先全球，客戶希望格羅方德能加快FinFET制程研發(fā)，因此，不僅明年推出14納米14XM制程，也希望能夠在2015年推出10納米的10XM制程。
格羅方德紐約州Fab8也希望能在今年正式進入量產階段。該廠已完成廠房興建及機臺移入，總月產能達到6萬片，將支持28納米以下先進制程，而格羅方德也在同一地點，投入20億美元興建技術研發(fā)中心(TDC)，縮短技術研發(fā)及量產間的時間差。
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