性能大爆炸 NVIDIA新GPU架構(gòu)曝光
幾乎每次GTC大會(huì)上NVIDIA都會(huì)拿出來(lái)些壓箱底的東西震場(chǎng)面,這屆自然也不會(huì)例外。NVIDIA在GTC大會(huì)的第二天公布全新的GPU架構(gòu)路線圖,NVIDIA新一代的Volta架構(gòu)首次曝光于世。
使用物理學(xué)家的名字來(lái)命名GPU架構(gòu)是NVIDIA的老傳統(tǒng)了,之前的Fermi、Kepler以及Maxwell一樣,這次的Volta也是歷史上知名的物理學(xué)家,準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)是一名電物理學(xué)家,他發(fā)明的伏打電堆奠定了現(xiàn)代電池的基礎(chǔ)(有興趣的可以參考初中物理)。
從路線圖上來(lái)看,Volta是NVIDIA的下下一代GPU架構(gòu),在它之前的是將在2014年到來(lái)的Maxwell架構(gòu),雖然NVIDIA沒(méi)有在路線圖上標(biāo)明Volta架構(gòu)的發(fā)布時(shí)間,但從NVIDIA兩年更新一次架構(gòu)的現(xiàn)狀來(lái)看,Volta架構(gòu)很有可能會(huì)在2016年和我們見(jiàn)面。
性能方面,Volta架構(gòu)的每瓦性能會(huì)在Maxwell架構(gòu)的基礎(chǔ)上再次翻番,最終達(dá)到目前Kepler架構(gòu)的3到4倍,不過(guò)這顯然不單純是架構(gòu)的功勞,新的制造工藝可能也會(huì)幫到大忙,畢竟制造工藝提升了,功耗也就隨之降低了,每瓦性能必然會(huì)有提升。
此外,Volta架構(gòu)還將帶來(lái)全新的Stacked DRAM(片上堆疊緩沖)等特性,Stacked DRAM透過(guò)穿透硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更高的顯存密度,同時(shí)可以通過(guò)通孔讓GPU直接與顯存中間的距離有效縮短,從而達(dá)到降低通訊延遲并提升存儲(chǔ)帶寬的目的。保守估計(jì)Volta的存儲(chǔ)帶寬將會(huì)因此而達(dá)到1TB/S的水平。
除了上述這些特色之外,NVIDIA CEO黃仁勛在演講中就沒(méi)有披露Volta架構(gòu)更多的信息了,預(yù)計(jì)隨著時(shí)間的推移NVIDIA會(huì)逐漸放出更多該架構(gòu)的消息。不過(guò)在此之前我們還有一個(gè)Maxwell架構(gòu)值得期待,NVIDIA還是先把它做好再說(shuō)吧。