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[導(dǎo)讀]先進(jìn)半導(dǎo)體光刻技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)商 Molecular Imprints, Inc. (簡稱MII)18日宣布交付業(yè)界首款能夠?qū)崿F(xiàn)450mm 硅晶圓基底圖案成形的先進(jìn)光刻平臺。該產(chǎn)品目前被用于支450mm晶圓工藝開發(fā)需求,有望促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)向低成

先進(jìn)半導(dǎo)體光刻技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)商 Molecular Imprints, Inc. (簡稱MII)18日宣布交付業(yè)界首款能夠?qū)崿F(xiàn)450mm 硅晶圓基底圖案成形的先進(jìn)光刻平臺。該產(chǎn)品目前被用于支450mm晶圓工藝開發(fā)需求,有望促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)向低成本450mm晶圓生產(chǎn)的轉(zhuǎn)型。
 

Molecular Imprints 總裁兼首席執(zhí)行官 Mark Melliar-Smith 表示:“半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商必須盡早獲得完全圖案化的高品質(zhì)450mm 晶圓,以便及時開發(fā)和優(yōu)化他們的產(chǎn)品與工藝,為行業(yè)轉(zhuǎn)型做好準(zhǔn)備。我們專有的 Jet and Flash? 壓印光刻 (J-FIL?) 技術(shù)是當(dāng)今市場上唯一一項光刻解決方案,具備半導(dǎo)體行業(yè)向450mm 晶圓批量生產(chǎn)轉(zhuǎn)型所需的性能。該公司的 J-FIL? 技術(shù)已經(jīng)展示了24納米圖案結(jié)構(gòu),其刻線邊緣粗糙度小于2納米(3西格瑪),臨界尺寸均勻性為1.2納米(3西格瑪),可使用簡單的單一圖案工藝擴(kuò)展至10納米。Imprio? 450平臺擁有新的通用型基底卡盤設(shè)計,可實現(xiàn)300mm 和450mm 晶圓的無中斷處理。有了這項先進(jìn)的光刻技術(shù)來支持這項全球性計劃,半導(dǎo)體行業(yè)有望提前兩年實現(xiàn)向450mm 晶圓生產(chǎn)的轉(zhuǎn)型。隨著價值幾十億美元的多年期光刻開發(fā)計劃成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),我們能夠在收到客戶訂單后的僅一年時間內(nèi)完成先進(jìn)納米壓印平臺的設(shè)計、建造和交付。在這里,我想特別感謝幫助我們?nèi)〉镁薮蟪删偷?Molecular Imprints 團(tuán)隊以及我們的半導(dǎo)體客戶和供應(yīng)鏈廠商。”

J-FIL 避免了功率受限的遠(yuǎn)紫外線 (EUV) 光源、復(fù)雜的光學(xué)透鏡和鏡面以及利用超靈敏光致抗蝕劑讓圖案成形的難度,這些固有的擁有成本優(yōu)勢使其非常適合用于半導(dǎo)體存儲器的制造。這款新型 450mm 圖案成形系統(tǒng)已被認(rèn)可,再加上該公司近期獲得了一份包含多個壓印模板的采購訂單,這些都體現(xiàn)了 Molecular Imprints 在將 J-FIL 技術(shù)整合進(jìn)先進(jìn) CMOS 設(shè)備的批量生產(chǎn)方面所取得的巨大進(jìn)步。(責(zé)編:Anna)

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