華潤(rùn)上華SOI工藝技術(shù)填補(bǔ)國(guó)內(nèi)技術(shù)空白

華潤(rùn)微電子有限公司附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司近日宣布，繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后，日前更高性?xún)r(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù)，華潤(rùn)上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí)，從而達(dá)到更高的性?xún)r(jià)比。

據(jù)了解，200V SOI CDMOS第一代工藝技術(shù)依托華潤(rùn)上華現(xiàn)有的低壓CMOS工藝平臺(tái)，結(jié)合深槽刻蝕技術(shù)及SOI介質(zhì)隔離技術(shù)，開(kāi)發(fā)了200V NLDMOS 以及200V PLDMOS 以及200V 高壓特種器件NLIGBT，實(shí)現(xiàn)了芯片高電壓大電流驅(qū)動(dòng)能力。該工藝所采用的深槽刻蝕、填充方法與傳統(tǒng)的CMOS工藝生產(chǎn)線(xiàn)基本兼容，開(kāi)發(fā)成本低，不需要增加專(zhuān)用的深槽填充與平坦化設(shè)備，能較好地實(shí)現(xiàn)器件之間的隔離，是實(shí)現(xiàn)高壓器件工藝與普通低壓CMOS工藝相兼容的關(guān)鍵技術(shù)之一。

華潤(rùn)上華的200V SOI CDMOS工藝可滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)公司對(duì)高壓、高功率產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)需求，同時(shí)也可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)高壓電源驅(qū)動(dòng)管理——LED和PDP驅(qū)動(dòng)及控制類(lèi)芯片的巨大市場(chǎng)需求。采用的SOI圓片襯底材料由國(guó)內(nèi)硅片廠(chǎng)家提供，可有效降低成本，提高了產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。與Si基比，SOI制造的芯片具有顯著的節(jié)電效果，有利于大幅降低用電量。另外，SOI在高溫下性能非常穩(wěn)定，具有高可靠性。目前全球能提供基于SOI工藝的PDP驅(qū)動(dòng)芯片僅有4家，采用華潤(rùn)上華工藝的這款芯片在部分性能上已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

SOI的應(yīng)用非常廣泛，市場(chǎng)前景可觀(guān)。隨著微處理器（CPU）、游戲機(jī)芯片（GPU）制程對(duì)SOI 技術(shù)需求愈來(lái)愈強(qiáng)，SOI 已成為各大晶圓代工角逐核心客戶(hù)青睞的武器，其應(yīng)用市場(chǎng)已拓展到功率和靈巧器件以及MEMS 應(yīng)用，特別是在汽車(chē)電子、顯示、無(wú)線(xiàn)通訊等方面發(fā)展迅速。VLSI研究預(yù)測(cè)，SOI市場(chǎng)未來(lái)幾年將會(huì)以健康的速率持續(xù)成長(zhǎng)，預(yù)期SOI未來(lái)5年的年均復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)11%，到2012年 銷(xiāo)售額將達(dá)到11億美元。

第二代工藝的推出顯示了華潤(rùn)上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù)，具備了根據(jù)市場(chǎng)需求持續(xù)開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。華潤(rùn)上華的這項(xiàng)技術(shù)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)技術(shù)空白，并已成功打入國(guó)際市場(chǎng)，為三星、長(zhǎng)虹等國(guó)內(nèi)外著名PDP電視廠(chǎng)家提供芯片。（責(zé)編：陶?qǐng)A秀）